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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体器件结构的制造方法及半导体器件结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120417471B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510912148.0，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权一种半导体器件结构的制造方法及半导体器件结构是由杨梦宇;宋富冉;周儒领设计研发完成，并于2025-07-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件结构的制造方法及半导体器件结构在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体器件结构的制造方法及半导体器件结构，属于半导体制造技术领域。该方法包括：提供半导体衬底，在衬底上依次沉积栅极氧化层和高介电常数介电材料层；在高介电常数介电材料层上生成PMOS功函数层，该功函数层包括注入镓离子的覆盖层以及预设厚度的氧化镓薄膜；制备伪栅极结构，依次沉积接触蚀刻阻挡层和第零层间介质层并平坦化，该介质层包括硼含量不同的两层硼磷硅玻璃薄膜；依次进行伪栅极去除、金属填充及平坦化处理，形成具有集成金属栅极和源漏接触的半导体器件结构。本发明通过在PMOS区域引入镓离子和氧化镓薄膜，并采用双层不同硼含量的硼磷硅玻璃作为第零层间介质层，有效提高了半导体器件的性能和稳定性。

本发明授权一种半导体器件结构的制造方法及半导体器件结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件结构的制造方法，其特征在于，包括： S1：提供半导体衬底，所述半导体衬底的表面形成有至少一个NMOS区域、至少一个PMOS区域以及区域之间的隔离结构；在所述半导体衬底上依次沉积栅极氧化层和高介电常数介电层； S2、在所述高介电常数介电层上生成PMOS功函数层，所述PMOS功函数层包括注入镓离子的覆盖层以及预设厚度的氧化镓薄膜；其中，在所述高介电常数介电层上生成PMOS功函数层，包括：在所述高介电常数介电层上沉积覆盖层；在所述覆盖层上设置掩模；在所述掩模上NMOS区域对应位置设置光阻，以覆盖NMOS区域并暴露PMOS区域；对暴露的PMOS区域执行镓离子注入；在所述掩模和所述光阻上沉积预设厚度的氧化镓薄膜；去除所述光阻以及覆盖在所述光阻上的氧化镓薄膜，并执行高介电常数材料退火； S3、在所述PMOS功函数层的基础上制造伪栅极，在所述伪栅极两侧形成侧墙和相应的源漏区； S4、在伪栅极的暴露表面依次沉积接触蚀刻阻挡层和第零层间介质层，并对所述第零层间介质层进行平坦化操作；所述第零层间介质层包括：第一硼磷硅玻璃薄膜和第二硼磷硅玻璃薄膜，所述第一硼磷硅玻璃薄膜中硼的含量低于所述第二硼磷硅玻璃薄膜； S5、在平坦化后的所述第零层间介质层上，依次进行伪栅极去除、金属填充及平坦化处理。

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