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龙图腾网获悉北京世维通科技股份有限公司申请的专利一种薄膜铌酸锂的起偏器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120428380B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510933280.X，技术领域涉及：G02B6/126；该发明授权一种薄膜铌酸锂的起偏器及其制备方法是由韩风阳;李俊慧设计研发完成，并于2025-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种薄膜铌酸锂的起偏器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种薄膜铌酸锂的起偏器及其制备方法，包括基底层、下包层、铌酸锂薄膜平板层、铌酸锂光波导层和上包层；铌酸锂光波导层包括质子交换波导、直波导、模斑转换波导；直波导包括第一直波导、第二直波导，模斑转换波导包括第一模斑转换波导、第二模斑转换波导；铌酸锂光波导层包括第一直波导、第一模斑转换波导、质子交换波导、第二模斑转换波导、第二直波导；模斑转换波导为梯形渐变波导，第一模斑转换波导的第一端口与直波导的宽度均为Win，第一模斑转换波导的第二端口的宽度为Wo；质子交换波导包括第一质子交换区、第二质子交换区以及狭缝波导。本发明的起偏器消光比高、传输损耗低、结构简单，适用于高性能光学器件。

本发明授权一种薄膜铌酸锂的起偏器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种薄膜铌酸锂的起偏器，其特征在于，所述起偏器自下到上依次包括基底层、下包层、铌酸锂薄膜平板层、铌酸锂光波导层和上包层； 所述铌酸锂光波导层包括质子交换波导以及对称分布在所述质子交换波导两侧的直波导、模斑转换波导；其中，所述直波导包括第一直波导、第二直波导，所述模斑转换波导包括第一模斑转换波导、第二模斑转换波导；所述铌酸锂光波导层依次包括所述第一直波导、第一模斑转换波导、质子交换波导、第二模斑转换波导、第二直波导，所述第一直波导作为光信号输入波导，所述第二直波导作为光信号输出波导； 其中，所述直波导和所述质子交换波导为矩形结构，所述模斑转换波导采用梯形渐变波导； 所述第一模斑转换波导的第一端口与所述直波导的宽度均为Win，所述第一模斑转换波导的第二端口的宽度为Wo，且Win＜Wo； 所述质子交换波导包括在垂直于光传输方向上对称分布地第一质子交换区、第二质子交换区以及在所述第一质子交换区与所述第二质子交换区之间的狭缝波导，其中，所述第一质子交换区与所述第二质子交换区采用质子交换工艺作用于所述铌酸锂光波导层制得，所述第一质子交换区与所述第二质子交换区的宽度为Wp。

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