芯天下技术股份有限公司鲍奇兵获国家专利权
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龙图腾网获悉芯天下技术股份有限公司申请的专利提高NOR FLASH数据保持能力的方法及相关设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120452514B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510967839.0，技术领域涉及：G11C29/00；该发明授权提高NOR FLASH数据保持能力的方法及相关设备是由鲍奇兵;温靖康;王振彪设计研发完成，并于2025-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本提高NOR FLASH数据保持能力的方法及相关设备在说明书摘要公布了：本发明涉及闪存技术领域，具体公开了一种提高NORFLASH数据保持能力的方法及相关设备，其中，方法包括步骤：S1、在NORFLASH工作过程中，基于预设定时周期性触发数据保持能力的检测及修复操作，数据保持能力的检测及修复操作包括：第一次读取、第二次读取和编程修复；在数据保持能力的检测及修复操作的过程中，若获取到客户操作指令，则中止数据保持能力的检测及修复操作以执行客户操作指令；该方法实现了在NORFLASH长期工作下对数据保持能力的持续检测和修复，并避免了传统方法中上电后一次性全芯片扫描带来的长时间等待，还能优先响应客户请求，解决了维护过程阻塞客户访问的问题。
本发明授权提高NOR FLASH数据保持能力的方法及相关设备在权利要求书中公布了：1.一种提高NORFLASH数据保持能力的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： S1、在NORFLASH工作过程中，基于预设定时周期性触发数据保持能力的检测及修复操作，所述数据保持能力的检测及修复操作包括： A1、对NORFLASH的存储阵列进行第一次读取，以筛选获取数据为0的存储单元，所述第一次读取的操作条件包括：对操作对象的栅极和源极分别施加6V和0V电压； A2、对数据为0的存储单元进行第二次读取，以筛选获取需要修复的存储单元，所述第二次读取的操作条件包括：对操作对象的栅极和源极分别施加6V和-1V电压； A3、对需要修复的存储单元进行编程修复，所述编程修复的操作条件包括：对操作对象的栅极和源极分别施加6V和-3V电压； S2、在数据保持能力的检测及修复操作的过程中，若获取到客户操作指令，则中止所述数据保持能力的检测及修复操作以执行所述客户操作指令。
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