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龙图腾网获悉天水天光半导体有限责任公司申请的专利一种倒扣封装芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120473398B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510977706.1，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权一种倒扣封装芯片及其制备方法是由卢宇;张婵娟;马玉霞;苏爱连;马霞;王轶军;张静;梁小龙;李文娟;刘婉娜;庄立强设计研发完成，并于2025-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种倒扣封装芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种倒扣封装芯片及其制备方法，属于半导体材料技术领域。该芯片的制备包括：对外延片进行初始氧化、减薄处理、去应力腐蚀、双面光刻、正面腐蚀、正面贴膜、背面腐蚀、撕膜、去胶、磷预扩散、磷再扩散、P+环光刻腐蚀、硼注入、第一次退火、N++光刻腐蚀、蒸Ni、形成硅化物、硅化物腐蚀、Ti和Al蒸发、Al腐蚀、钝化、钝化光刻腐蚀、焊盘金属蒸发、焊盘金属光刻腐蚀以及第二次退火。通过对芯片制备工艺进行改进，例如对外延片、背面腐蚀以及磷预扩散和磷再扩散的工艺进行调整，可获得正向压降较小且背标图形不易错位的倒扣封装芯片。

本发明授权一种倒扣封装芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种倒扣封装芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：对外延片进行初始氧化、减薄处理、去应力腐蚀、双面光刻、正面腐蚀、正面贴膜、背面腐蚀、撕膜、去胶、磷预扩散、磷再扩散、P+环光刻腐蚀、硼注入、第一次退火、N++光刻腐蚀、蒸Ni、形成硅化物、硅化物腐蚀、Ti和Al蒸发、Al腐蚀、钝化、钝化光刻腐蚀、焊盘金属蒸发、焊盘金属光刻腐蚀以及第二次退火； 其中，所述外延片的掺杂浓度为7.0×1018cm-3至7.6×1018cm-3，所述外延片的厚度为4.7μm~5.1μm； 背面腐蚀所用的腐蚀液为体积比为0.8~1.2:0.8~1.2:2.8~3.2:3.8~4.2的氢氟酸、硝酸、磷酸以及醋酸；背面腐蚀的温度为8℃~12℃，背面腐蚀的时间为8min~12min； 磷预扩散包括：于1080℃~1120℃的条件下进行，先以3.8Lmin~4.2Lmin的流量通入氧气2.5min~3.5min，再通入磷源52min~58min，再以3.8Lmin~4.2Lmin的流量通入氧气4.8min~5.2min； 磷再扩散包括：于1040℃~1060℃的条件下进行，先以3.8Lmin~4.2Lmin的流量通入氧气8min~12min，再分别按3.8Lmin~4.2Lmin和4.8Lmin~5.2Lmin的流量同时通入氧气和氢气58min~62min，再以3.8Lmin~4.2Lmin的流量通入氧气8min~12min。

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