买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉灿芯半导体(苏州)有限公司申请的专利一种用于SAR ADC的高精度比较器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120498428B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510992345.8，技术领域涉及：H03K5/24；该发明授权一种用于SAR ADC的高精度比较器是由林志伦;岳庆华;段江昆设计研发完成，并于2025-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于SAR ADC的高精度比较器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于SARADC的高精度比较器，属于比较器技术领域，该所述高精度比较器为级联结构，第一级到N级为静态放大器级，其中每一级的电路结构相同，内部的器件尺寸以及驱动电流会根据负载情况而有所调整；最后一级为锁存器，通过正反馈将放大后的模拟信号转成数字输出。本发明，通过放大器负载端的低电压设计，可以允许比较器的输入共模电平为电源电压VDD，这样SARADC在底板采样的时候其DAC的电容顶板不需要额外的共模电平产生电路，只需要连接到电源电压VDD就可以，可以起到节省面积功耗的目的，同时该比较器可以支持低电源电压的应用。

本发明授权一种用于SAR ADC的高精度比较器在权利要求书中公布了：1.一种用于SARADC的高精度比较器，其特征在于，所述高精度比较器为级联结构，第一级到N级为静态放大器级，其中每一级的电路结构相同，内部的器件尺寸以及驱动电流会根据负载情况而有所调整；最后一级为锁存器，通过正反馈将放大后的模拟信号转成数字输出； 其中，比较器的输入信号为差分输入VINP_CMPVIN_CMP，分别连接到第一级放大器的正负输入端VIPVIN；第一级放大器的正负输出端的线名为VOP1VON1，分别连接到后级电路正负输入端VIPVIN；第2级到第N级的放大器输出线名为VOP2VON2到VOPNVONN；最后一级为锁存器，其输出端口DOPDON的输出线名为DP_CMPDN_CMP是整个比较器的输出信号； 所述高精度比较器中，输入信号VIPVIN分别连接到N型MOS管差分输入对M2、M3的栅端；N型MOS管M2、M3的源端连接到尾电流源M1A的漏端；N型MOS管M2、M3的漏端分别连接到线VN1VP1；复位器件P型MOS管M4的源端和漏端分别跨接到VN1VP1，同时其栅端连接到RST_B的线上；电阻R1、R2的正端分别连接到VN1、VP1，电阻R1、R2的负端连接在一起，线名为VCM1；P型MOS管M5、M6的漏端分别连接到VN1、VP1，P型MOS管M5、M6的源端连接到电源电压VDD，两个P型MOS管M5、M6的栅端连接在一起，线名为VCM2；IK_IN端连接到N型MOS管M1D的漏端和栅端，同时连接到M1A、M1B、M1C的栅端；N型MOS管M1A、M1B、M1C和M1D的源端都接地；N型MOS管M1C的漏端连接到P型MOS管M9的漏端和栅端，以及P型MOS管M7的栅端；P型MOS管M9和M7的源端连接到电源VDD上；P型MOS管M7的漏端连接到VCM1线上；P型MOS管M8的栅端连接到VCM1线上，漏端连接到VCM2线上；电阻R3的正端连接到VCM2线栅上，负端连接到M8的栅上一级M1B的漏端； 电容C1的上极板连接到VN1，下极板连接到VON；电容C2的上极板连接到VP1，下极板连接到VOP；N型MOS管M10的源端和漏端分别跨接电容C1的上极板和下极板，栅端连接到CKCM_B；N型MOS管M11的源端和漏端分别跨接电容C2的上极板和下极板，栅端连接到CKCM_B；N型MOS管M12的源端和漏端分别连接到VOP、VON，栅端连接到AZ_BST。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人灿芯半导体(苏州)有限公司，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市工业园区通园路208号苏化科技园7幢2F；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。