无锡晶名光电科技有限公司程鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡晶名光电科技有限公司申请的专利基于图像处理的晶体表面缺陷检测方法及系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120510158B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511008927.4,技术领域涉及:G06T7/00;该发明授权基于图像处理的晶体表面缺陷检测方法及系统是由程鹏设计研发完成,并于2025-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于图像处理的晶体表面缺陷检测方法及系统在说明书摘要公布了:本发明涉及晶体图像检测技术领域,具体涉及一种基于图像处理的晶体表面缺陷检测方法及系统。本发明首先在晶体训练图像中,综合所有晶体分块图像的缺陷综合形态度量,获取晶体训练图像的整体缺陷斑点程度;根据每个晶体训练图像的整体缺陷斑点程度,对晶体训练图像进行图像增强,获取增强后的晶体训练图像;利用训练后的神经网络模型,对晶体待测图像进行缺陷检测。本发明通过充分考虑到晶体缺陷程度,对晶体训练图像进行合理增强,对神经网络模型进行有效训练,提高训练后的神经网络模型识别晶体表面缺陷的准确性。
本发明授权基于图像处理的晶体表面缺陷检测方法及系统在权利要求书中公布了:1.一种基于图像处理的晶体表面缺陷检测方法,其特征在于,包括: 获取晶体待测图像以及各个晶体训练图像; 获取晶体训练图像对应的所有晶体分块图像;从晶体分块图像中,识别出晶体分块图像中的疑似晶体缺陷区域;在晶体分块图像中,根据所有疑似晶体缺陷区域的聚集情况以及形态情况,获取晶体分块图像的缺陷综合形态度量,包括:在晶体分块图像中,将每两个疑似晶体缺陷区域对应几何中心点的欧氏距离,作为每两个疑似晶体缺陷区域的距离度量值;基于迭代自组织聚类法,根据每两个疑似晶体缺陷区域的距离度量值,对在晶体分块图像中所有疑似晶体缺陷区域进行聚类,获取晶体分块图像中各个疑似缺陷类簇;将疑似缺陷类簇的所有疑似晶体缺陷区域的总数量,作为疑似缺陷类簇的第一缺陷参数;在疑似缺陷类簇中,计算每两个疑似缺陷类簇对应几何中心点的欧氏距离,将所有欧氏距离的均值,作为疑似缺陷类簇的第二缺陷参数;计算疑似缺陷类簇的第一缺陷参数与第二缺陷参数的乘积,得到疑似缺陷类簇的第三缺陷参数;在晶体分块图像中,计算所有疑似缺陷类簇的第三缺陷参数的均值,得到晶体分块图像中的缺陷排布指标;在晶体分块图像中,根据所有疑似晶体缺陷区域的灰度特征以及形态特征,获取晶体分块图像中的缺陷形态指标;综合晶体分块图像中的缺陷排布指标以及缺陷形态指标,获取晶体分块图像中的缺陷综合形态度量; 在晶体训练图像中,综合所有晶体分块图像的缺陷综合形态度量,获取晶体训练图像的整体缺陷斑点程度;根据每个晶体训练图像的整体缺陷斑点程度,对每个晶体训练图像进行图像增强,获取每个晶体训练图像对应增强后的晶体训练图像;基于所有增强后的晶体训练图像,训练神经网络模型,获取训练后的神经网络模型;利用训练后的神经网络模型,对晶体待测图像进行缺陷检测。
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