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龙图腾网获悉英飞凌科技股份有限公司申请的专利用于制造具有沟道截断区域的半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109994378B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811570537.6，技术领域涉及：H01L21/266；该发明授权用于制造具有沟道截断区域的半导体器件的方法是由E.法尔克;F-J.尼德诺斯泰德;H-J.舒尔策设计研发完成，并于2018-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于制造具有沟道截断区域的半导体器件的方法在说明书摘要公布了：在构件区域（600）的与锯道区域（800）连接的边缘区域中构造沟道截断区域（191），其从第一主表面（701）出发延伸到第一导电类型的构件层（710）中。此后，在构件区域（600）中构造从第一主表面（701）出发延伸到构件层（710）中的经掺杂的区域（120）。沟道截断区域（191）通过在第一光刻法之前实施的光刻法来构造，所述第一光刻法用于将掺杂物引入在沟道截断区域（191）之外的构件区域（600）的区段中。

本发明授权用于制造具有沟道截断区域的半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括： 在构件区域600的与锯道区域800连接的边缘终止区域690中构造从第一主表面701出发延伸到第一导电类型的构件层710中的沟道截断区域191；以及 构造在所述构件区域600中从所述第一主表面701出发延伸到所述构件层710中的经掺杂的区域120，其中 借助在第一光刻法之前实施的光刻法来构造所述沟道截断区域191，其中所述第一光刻法用于将掺杂物引入到在所述沟道截断区域191之外的所述构件区域600的区段中， 其中构造所述沟道截断区域191包括：在第一主表面701上构造第一掺杂物掩模410以及将第一掺杂物195穿过所述第一掺杂物掩模410的掩模开口415引入，其中所述掩模开口415暴露出所述锯道区域800的至少一个区段， 其中所述第一掺杂物195通过所述第一主表面701的、通过所述第一掺杂物掩模410的所述掩模开口415所暴露出的区段来被引入， 其中，在引入所述第一掺杂物195之后，至少另一次地实施如下过程顺序，所述过程顺序包括：移除所述第一掺杂物掩模410；将另外的构件层施加到所述第一主表面701上；构造具有掩模开口415的另外的第一掺杂物掩模410，所述另外的第一掺杂物掩模410的所述掩模开口415使得所述锯道区域800的至少一个区段暴露出；以及 通过所述另外的第一掺杂物掩模410中的所述掩模开口415引入所述第一掺杂物195。

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