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龙图腾网获悉三星显示有限公司申请的专利有机发光二极管显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110875335B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910697762.4，技术领域涉及：H10K59/121；该发明授权有机发光二极管显示装置是由朴晙晳;文然建;金光淑;金兑相;朴根彻;全景辰设计研发完成，并于2019-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本有机发光二极管显示装置在说明书摘要公布了：本公开涉及一种有机发光二极管显示装置，所述有机发光二极管显示装置包括基底、第一氧化物晶体管、第二氧化物晶体管以及子像素结构。所述基底具有包括多个子像素区域的显示区域和位于所述显示区域旁边的外围区域。所述第一氧化物晶体管设置在所述基底上的所述外围区域中，并且包括第一氧化物半导体图案，所述第一氧化物半导体图案包括锡Sn。所述第二氧化物晶体管设置在所述基底上的每个所述子像素区域中，并且包括第二氧化物半导体图案。所述子像素结构设置在所述第二氧化物晶体管上。

本发明授权有机发光二极管显示装置在权利要求书中公布了：1.一种制造有机发光二极管显示装置的方法，其中，所述有机发光二极管显示装置包括： 基底，所述基底具有包括多个子像素区域的显示区域，所述基底具有位于所述显示区域旁边的外围区域； 第一氧化物晶体管，所述第一氧化物晶体管在所述基底上的所述外围区域中，所述第一氧化物晶体管包括第一氧化物半导体图案，所述第一氧化物半导体图案包括锡； 第二氧化物晶体管，所述第二氧化物晶体管在所述基底上的每个所述子像素区域中，所述第二氧化物晶体管包括第二氧化物半导体图案，并且所述第一氧化物晶体管和所述第二氧化物晶体管位于同一层； 第三氧化物晶体管，所述第三氧化物晶体管设置在所述基底上的每个所述子像素区域中，所述第三氧化物晶体管包括第三氧化物半导体图案，所述第三氧化物半导体图案包括锡，并且所述第一氧化物半导体图案、所述第二氧化物半导体图案以及所述第三氧化物半导体图案位于同一层；以及 子像素结构，所述子像素结构在所述第二氧化物晶体管上，所述子像素结构包括： 下部电极； 发光层，设置在所述下部电极上；以及 上部电极，设置在所述发光层上， 其中，所述第二氧化物晶体管对应于驱动晶体管，并且所述第三氧化物晶体管对应于开关晶体管， 其中，所述第二氧化物半导体图案不包括锡， 其中，所述第二氧化物晶体管和所述第三氧化物晶体管中的每一者与所述子像素结构的所述下部电极重叠， 其中，所述方法包括： 提供所述基底； 将第一初步氧化物半导体层形成在所述基底上； 在使用第一蚀刻剂图案化所述第一初步氧化物半导体层之后，将所述第一氧化物半导体图案形成在所述外围区域中，并且同时将所述第三氧化物半导体图案形成在每个所述子像素区域中； 将第二初步氧化物半导体层形成在所述基底以及所述第一氧化物半导体图案和所述第三氧化物半导体图案上； 在使用不同于所述第一蚀刻剂的第二蚀刻剂图案化所述第二初步氧化物半导体层之后，将所述第二氧化物半导体图案形成在每个所述子像素区域中，其中，所述第一氧化物半导体图案和所述第三氧化物半导体图案不被所述第二蚀刻剂蚀刻；以及 将所述子像素结构形成在所述第二氧化物半导体图案上。

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