成都晔凡科技有限公司王月斌获国家专利权
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龙图腾网获悉成都晔凡科技有限公司申请的专利制造异质结太阳能电池片的方法和异质结太阳能电池片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111162146B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010060252.9，技术领域涉及：H10F71/10；该发明授权制造异质结太阳能电池片的方法和异质结太阳能电池片是由王月斌;王秀鹏;余义;蒋卫朋设计研发完成，并于2020-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造异质结太阳能电池片的方法和异质结太阳能电池片在说明书摘要公布了：本发明涉及一种制造异质结太阳能电池片的方法和异质结太阳能电池片。本发明的制造方法中的制造异质结太阳能电池片整片的步骤又包括如下步骤：设置中心层；以递增的多个加工温度在所述中心层的顶侧自所述中心层起依次加工多个顶侧透光导电层；以递增的多个加工温度在所述中心层的底侧自所述中心层起依次加工出多个底侧透光导电层。根据本发明，以递增的温度加工出多个透光导电层，这样的设置不会伤害到PN结，不会影响非晶硅膜层对衬底层的钝化效果，由此得到了低的载流子复合速率和更好的P‑N结性能，提高电池的开路电压和填充因子，进而提高异质结电池片的转化效率。
本发明授权制造异质结太阳能电池片的方法和异质结太阳能电池片在权利要求书中公布了：1.一种制造异质结太阳能电池片的方法，其特征在于，所述方法包括制造异质结太阳能电池片整片的步骤和将所述异质结太阳能电池片整片裂片的步骤，其中，制造异质结太阳能电池片整片的步骤又包括如下步骤：设置中心层；以递增的多个加工温度在所述中心层的顶侧自所述中心层起依次加工多个顶侧透光导电层且自所述中心层的顶侧起按晶粒尺寸从小到大的顺序排列；以递增的多个加工温度在所述中心层的底侧自所述中心层起依次加工出多个底侧透光导电层且自所述中心层的底侧起按晶粒尺寸从小到大的顺序排列；各个所述透光导电层在自所述中心层到电极的方向上按透光性递增的顺序依次排列在所述中心层上； 加工自所述中心层起的第一层顶侧透光导电层和第一层底侧透光导电层所使用的加工温度小于200℃； 加工除了所述第一顶侧透光导电层和所述第一层底侧透光导电层之外的透光导电层所使用的加工温度大于或等于200℃。
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