买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉朝阳微电子科技股份有限公司申请的专利一种ESD器件结构及其设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111710669B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010489344.9，技术领域涉及：H10D80/20；该发明授权一种ESD器件结构及其设计方法是由李勃纬设计研发完成，并于2020-06-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种ESD器件结构及其设计方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种ESD器件结构及其设计方法，包括TVS芯片、小电容导向整流管芯片、金丝和铜合金框架片，所述TVS芯片和小电容导向整流管芯片粘接于铜合金框架片的中央位置，所述TVS芯片和小电容导向整流管芯片与铜合金框架片之间连接有金丝。该ESD器件结构及其设计方法，在使用过程中并联于电路中，当电路正常工作时，它处于截止状态，不影响线路工作，当电路出现异常过压并达到其击穿电压时，它迅速由高阻态变为低阻态，给瞬间电流提供低阻抗导通路径。

本发明授权一种ESD器件结构及其设计方法在权利要求书中公布了：1.一种ESD器件结构的设计方法，包括TVS芯片（1）、小电容导向整流管芯片（2）、金丝（3）和铜合金框架片（4），其特征在于：所述TVS芯片（1）和小电容导向整流管芯片（2）粘接于铜合金框架片（4）的中央位置，所述TVS芯片（1）和小电容导向整流管芯片（2）与铜合金框架片（4）之间连接有金丝（3）；所述设计方法如下： TVS芯片（1）的设计与制造：TVS芯片（1）其结构是穿通形器件结构，首先在N衬底上外延生长一层P型高外延层，然后在外延层上注入调整形成一个P阱，再在该阱上通过扩散形成N区，使得在反向偏置下耗尽层延伸至N衬底区，形成N+P-P+N+四层结构，通过工艺控制形成薄的基区宽度，降低PN结击穿电压，以达到雪崩型击穿特性； 小电容导向整流管的芯片设计与制造：小电容导向整流管主要是平衡结面积和衬底电阻率来控制快电容和电流的影响，通过扩散结深的精度和N高阻外延的深度来控制其电压与电容，并通过重金属铂扩散工艺进一步降低电容； TVS芯片（1）和小电容导向整流管芯片（2）与铜合金框架片（4）的粘接：将一枚TVS芯片（1）和4枚一组的小电容导向整流管芯片（2）分别通过导电胶粘接至铜合金框架片（4）中央区域，将两枚一组的小电容导向整流管芯片（2）通过导电胶粘接至铜合金框架片（4）左右区域。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人朝阳微电子科技股份有限公司，其通讯地址为：122000 辽宁省朝阳市龙城区文化路五段105；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。