福建省晋华集成电路有限公司方晓培获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388465B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210062083.1，技术领域涉及：H01L23/485；该发明授权半导体结构是由方晓培;黄永泰;游馨;郭东龙;夏勇设计研发完成，并于2020-06-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体结构。通过设置倒L型接触结构，并使倒L型接触结构的突出部朝向邻近的浅沟渠隔离结构突出，以及至少在倒L型接触结构远离主动区域的一侧设置有至少两层电介质层，该倒L型的接触结构具有特殊的形状，此形状有助于稳固形成在倒L型的接触结构侧边的第一电介质层与第二电介质层，并且提升半导体结构的稳定性。
本发明授权半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底中形成有浅沟渠隔离结构，所述浅沟渠隔离结构定义出主动区域； 第一倒L型接触结构，位于所述衬底上，所述第一倒L型接触结构包含竖直部和水平部，所述竖直部竖直形成在所述衬底上，所述水平部位于所述竖直部上并横向延伸出以构成突出部，其中所述第一倒L型接触结构的所述竖直部的底部接触所述主动区域，所述第一倒L型接触结构的突出部朝向邻近的浅沟渠隔离结构突出；以及 第一电介质层与第二电介质层，至少位于所述第一倒L型接触结构朝向浅沟渠隔离结构的一侧，所述第二电介质层位于所述第一电介质层上，所述第二电介质层底部低于所述第一电介质层的顶部，所述第一倒L型接触结构的所述竖直部的侧壁接触所述第一电介质层，所述第一倒L型接触结构的所述突出部的侧壁接触所述第二电介质层。
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