台湾积体电路制造股份有限公司吴仲强获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113270369B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010893901.3，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体器件及其形成方法是由吴仲强;陈柏成;黄国展;叶品萱;李威缙;李显铭;陈建豪;徐志安设计研发完成，并于2020-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体器件及其形成方法。一种方法包括：在半导体区域上形成栅极电极，使得栅极电极凹陷以生成凹槽，执行第一沉积工艺以在栅极电极上和凹槽中形成第一金属层，其中第一沉积工艺是使用第一前体来执行的，以及使用不同于第一前体的第二前体来执行第二沉积工艺以在第一金属层上形成第二金属层。第一金属层和第二金属层包含相同的金属。该方法还包括在第二金属层之上形成电介质硬掩模，以及形成穿过电介质硬掩模的栅极接触插塞。栅极接触插塞接触第二金属层的顶表面。
本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种用于形成半导体器件的方法，包括： 在半导体区域之上形成栅极电极； 使得所述栅极电极凹陷以生成凹槽； 执行第一沉积工艺以在所述栅极电极上和所述凹槽中形成第一金属层，其中，所述第一沉积工艺是使用第一前体来执行的； 使用不同于所述第一前体的第二前体来执行第二沉积工艺以在所述第一金属层上形成第二金属层，其中，所述第一金属层和所述第二金属层两者均包含氟和氯，氯的第一峰值原子百分比在所述第一金属层中，并且氟的第二峰值原子百分比在所述第二金属层中； 在所述第二金属层之上形成电介质硬掩模；以及 形成穿过所述电介质硬掩模的栅极接触插塞，其中，所述栅极接触插塞接触所述第二金属层的顶表面， 其中，使得所述栅极电极凹陷，包括： 第一凹陷工艺，用于使得所述栅极电极、栅极电介质和栅极间隔件凹陷，其中，所述栅极电介质包括位于所述栅极电极的侧壁上的第一侧壁部分，并且所述栅极电极和所述栅极电介质位于所述栅极间隔件之间；以及 第二凹陷工艺，用于使得所述栅极电极凹陷以低于所述栅极电介质的顶部边缘。
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