晶元光电股份有限公司王心盈获国家专利权
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龙图腾网获悉晶元光电股份有限公司申请的专利半导体发光元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113410358B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110285067.4，技术领域涉及：H10H20/831；该发明授权半导体发光元件是由王心盈;陈昭兴;李奇霖;欧震;谢明勋设计研发完成，并于2021-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体发光元件在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体发光元件，其包括一基板、一第一半导体接触层位于所述的基板上、一发光叠层包含一活性层位于所述的第一半导体接触层的一上表面上、一第二半导体接触层位于所述的发光叠层上、一凹陷区露出所述的第一半导体接触层的一部分的所述的上表面、以及一透明电极层位于所述的第二半导体接触层上，其中，所述的基板的面积与所述的透明电极层的面积的比值为2至100，且于操作时，所述的半导体发光元件接收一操作电流，且所述的操作电流与所述的透明电极层的面积的比值为10mAmm2至1000mAmm2。
本发明授权半导体发光元件在权利要求书中公布了：1.一种半导体发光元件，其特征在于，包括： 基板； 半导体叠层，位于该基板上，其中，该半导体叠层包含第一半导体接触层位于该基板上、发光叠层包含活性层位于该第一半导体接触层的上表面上、第二半导体接触层位于该发光叠层上、以及凹陷区露出该第一半导体接触层的一部分的该上表面； 透明电极层，位于该第二半导体接触层上； 保护层，位于该基板及该发光叠层上，包含第一开口及第二开口； 第一电极垫，位于该基板上，填入该第一开口以与该第一半导体接触层电连接；以及 第二电极垫，位于该基板上，填入该第二开口以与该透明电极层电连接； 其中，该基板的面积与该透明电极层的面积的比值为2至100，且于操作时，该半导体发光元件接收操作电流，且该操作电流与该透明电极层的面积的比值为10mAmm2至1000mAmm2； 其中，该第一电极垫或该第二电极垫的面积大于或等于该透明电极层的面积。
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