中微半导体设备(上海)股份有限公司庞云玲获国家专利权
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龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利加热装置、CVD设备及半导体工艺处理的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115772660B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111039519.7,技术领域涉及:C23C16/46;该发明授权加热装置、CVD设备及半导体工艺处理的方法是由庞云玲;姜勇设计研发完成,并于2021-09-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本加热装置、CVD设备及半导体工艺处理的方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种加热装置,用于CVD设备,包含:布置在反应室上方的上灯模块和或反应室下方的下灯模块;所述上灯模块、下灯模块包含由多个加热灯形成的上灯阵列、下灯阵列;通过所述上灯阵列、下灯阵列加热所述基片承载台以及基片;所述加热灯包括一管状灯体和位于管状灯体两端的电极端,所述上灯模块、下灯模块中的电极端分别朝上、下进行电连接;所述管状灯体内设有沿管状灯体延伸的灯丝;所述上灯阵列、下灯阵列可以分区控制加热功率本发明还包含一种CVD设备及一种半导体工艺处理的方法。本发明能够提高加热装置的热能利用率,且能够精准控制各加热灯的加热功率,防止相邻加热灯之间出现冷点,有效保证基片表面均温。
本发明授权加热装置、CVD设备及半导体工艺处理的方法在权利要求书中公布了:1.一种加热装置,用于CVD设备,所述CVD设备的反应室内包含用于承载基片的基片承载台,其特征在于,所述加热装置包含:布置在反应室上方的上灯模块和或反应室下方的下灯模块; 所述上灯模块、下灯模块包含由多个加热灯形成的上灯阵列、下灯阵列;通过所述上灯阵列、下灯阵列加热所述基片承载台以及基片; 所述加热灯包括一管状灯体、两个封闭端和位于管状灯体两端的电极端,所述上灯模块、下灯模块中的管状灯体的两端分别朝上、朝下弯曲,所述上灯模块、下灯模块中的电极端分别朝上、下进行电连接;所述管状灯体内设有沿管状灯体延伸的灯丝;所述上灯阵列、下灯阵列可以分区控制加热功率; 两个所述封闭端分别用于封堵所述管状灯体的两端,两个所述电极分别设置在两个所述封闭端上; 所述管状灯体包含两个竖直加热段,以及在所述两个竖直加热段之间的水平加热段;水平加热段的长度方向为加热灯的长度方向;通过相邻的竖直加热段补偿相邻加热灯之间的冷点。
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