深圳大普微电子科技有限公司陆震熙获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳大普微电子科技有限公司申请的专利闪存物理层的测试方法及闪存设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114333960B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111672874.8，技术领域涉及：G11C29/12；该发明授权闪存物理层的测试方法及闪存设备是由陆震熙;黄运新设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本闪存物理层的测试方法及闪存设备在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及存储设备应用领域，公开了一种闪存物理层的测试方法及闪存设备，该方法包括：将闪存控制器的闪存物理层与模拟颗粒的闪存物理层对接；由闪存控制器的闪存物理层向模拟颗粒的闪存物理层执行读操作，以使闪存控制器的闪存物理层获取模拟颗粒的闪存物理层发送的数据；若闪存控制器的闪存物理层获取的数据与模拟颗粒的闪存物理层发送的数据一致，则确定闪存控制器的闪存物理层的功能正常。通过设置一个模拟颗粒，将模拟颗粒的闪存物理层与闪存控制器的闪存物理层对接，若闪存控制器的闪存物理层获取的数据与模拟颗粒的闪存物理层发送的数据一致，则确定闪存控制器的闪存物理层的功能正常，本申请能够提高对闪存物理层的测试能力。
本发明授权闪存物理层的测试方法及闪存设备在权利要求书中公布了：1.一种闪存物理层的测试方法，其特征在于，应用于闪存设备，所述闪存设备包括闪存控制器，所述方法包括： 将所述闪存控制器的闪存物理层与模拟颗粒的闪存物理层对接； 由所述闪存控制器的闪存物理层向所述模拟颗粒的闪存物理层执行读操作，以使闪存控制器的闪存物理层获取模拟颗粒的闪存物理层发送的数据； 若所述闪存控制器的闪存物理层获取的数据与所述模拟颗粒的闪存物理层发送的数据一致，则确定所述闪存控制器的闪存物理层的功能正常； 在将所述闪存控制器的闪存物理层与模拟颗粒的闪存物理层对接之前，所述方法还包括： 将闪存控制器的闪存物理层的工作频率设置为第一工作频率，其中，所述第一工作频率大于闪存颗粒的最大工作频率； 将模拟颗粒的闪存物理层的工作频率设置为第二工作频率，其中，第一工作频率等于第二工作频率。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳大普微电子科技有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市龙岗区腾飞路9号创投大厦3501室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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