京东方科技集团股份有限公司;成都中电熊猫显示科技有限公司邱涛获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;成都中电熊猫显示科技有限公司申请的专利阵列基板的栅极断线修复方法、阵列基板和显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114420709B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210050250.0，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权阵列基板的栅极断线修复方法、阵列基板和显示装置是由邱涛;赵一静;陈红利;杨曦;杨宇丹;蒋雷设计研发完成，并于2022-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本阵列基板的栅极断线修复方法、阵列基板和显示装置在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种阵列基板的栅极断线修复方法、阵列基板和显示装置。所述栅极断线修复方法包括以下步骤：形成第一金属层，并对所述第一金属层进行曝光和刻蚀，形成栅极电路，检测栅极断线点位；形成第二金属层、对所述第二金属层进行曝光，对曝光后的第二金属层进行光刻胶修复和刻蚀，形成源漏电路；对形成的阵列基板进行断线修补。本公开实施例的技术方案针对外围双层金属配线，通过前置源漏电路光刻胶修复，使得光刻胶修复后刻蚀源漏电路金属层的方式将在双层金属区修复配线转变为在单层金属区修复配线，从而提升外围双层配线区栅极断线修补的成功率和可靠性。
本发明授权阵列基板的栅极断线修复方法、阵列基板和显示装置在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板的栅极断线修复方法，其特征在于，包括以下步骤： 栅极电路成型步骤，包括在衬底基板表面形成第一金属层，并对所述第一金属层进行曝光和刻蚀，形成栅极电路，检测栅极断线点位； 源漏电路成型步骤，包括在所述第一金属层背离衬底基板一侧形成第二金属层，对所述第二金属层进行曝光，对曝光后的第二金属层进行光刻胶修复，并进行刻蚀，形成源漏电路；刻蚀光刻胶修复后的第二金属层包括刻蚀光刻胶剥离位置处的第二金属层，以在刻蚀位置处形成单个金属层； 阵列基板修补步骤，包括对形成的阵列基板进行栅极断线修补，其中，所述光刻胶修复包括下载检测到的栅极断线点位，在所述第二金属层背离衬底基板的表面上形成光刻胶层，并剥离栅极断线点位两侧的部分光刻胶，在源漏电路刻蚀后的第二金属层远离衬底基板的一侧形成源漏电路保护层；对形成的阵列基板进行栅极断线修补包括下载光刻胶修复后的断线点位，在栅极断线两侧的单金属层区域进行打孔、注膜和成膜修复连接断线。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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