杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司;杭州电子科技大学程知群获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司;杭州电子科技大学申请的专利一种高线性度的GaN HEMT射频功率器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114649404B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210105595.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种高线性度的GaN HEMT射频功率器件是由程知群;乐超设计研发完成，并于2022-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高线性度的GaN HEMT射频功率器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高线性度的GaNHEMT射频功率器件，包括依次设置的衬底层、缓冲层、沟道层、阻挡层、保护层，在保护层的上方设置源极、栅极和漏极；其中，所述保护层形成L形槽，所述源极设置在L形槽的顶部使源极端口和栅极端口在水平空间上相互错开。采用本发明的技术方案，将保护层做成一个L形槽，使得源极端口往竖直方向抬升，达到Source端口的底部与Gate端口的顶端齐平，从而根本上消除了Cgs的存在，Δ随着输出功率增加时，Cgs不再影响Δ值的变化，从而缓解了Δ值远离0的趋势，有效的改善了器件线性度。
本发明授权一种高线性度的GaN HEMT射频功率器件在权利要求书中公布了：1.一种高线性度的GaNHEMT射频功率器件，其特征在于，包括依次设置的衬底层、缓冲层、沟道层、阻挡层、保护层，在保护层的上方设置源极、栅极和漏极；其中，所述保护层形成L形槽，所述源极设置在L形槽的顶部使源极端口和栅极端口在水平空间上相互错开；漏极端口顶部与栅极端口顶部齐平，源极端口底部与栅极端口顶部齐平；沟道层采用GaN材料；阻挡层采用AlGaN材料。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司;杭州电子科技大学，其通讯地址为：311400 浙江省杭州市富阳区银湖街道富闲路9号银湖创新中心6号9层937室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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