厦门紫硅半导体科技有限公司江长福获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门紫硅半导体科技有限公司申请的专利一种低导通电阻的SiC基MOSFET器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115117145B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210514739.9，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种低导通电阻的SiC基MOSFET器件及其制备方法是由江长福;周贤权设计研发完成，并于2022-05-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低导通电阻的SiC基MOSFET器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低导通电阻的SiC基MOSFET器件及其制备方法，其漂移层包括nx第一漂移层和设于nx第一漂移层上的n‑第二漂移层，nx第一漂移层的掺杂浓度高于n‑第二漂移层。本发明的具有分段掺杂外延结构的SiC基MOSFET器件，利用远离主结区的高掺杂漂移层降低器件的串联电阻，并利用主结区域的低掺杂层提高p型屏蔽层的保护作用，降低器件的米勒电荷，以提高SiC基MOSFET器件的开关转换能力。
本发明授权一种低导通电阻的SiC基MOSFET器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低导通电阻的SiC基MOSFET器件，其特征在于：由下至上包括漏电极接触、n++型SiC衬底基片和SiC外延层，还包括设于SiC外延层上方的栅介质、栅电极接触、内绝缘物质、源电极接触和源极pad金属层；SiC外延层由下至上包括n+型缓冲层和漂移层，漂移层包括设于n+型缓冲层上的nx第一漂移层和设于nx第一漂移层上的n-第二漂移层，n-第二漂移层之内设有pwell区域，pwell区域之内设有n+型掺杂区和p+型掺杂区；其中， nx第一漂移层和n-第二漂移层为同质材料，掺入的杂质相同；nx第一漂移层的掺杂浓度高于n-第二漂移层，且n-第二漂移层的厚度占比整个漂移层厚度的20%-50%；pwell区域的底部与n-第二漂移层的底部的间距是n-第二漂移层厚度的80-90%。
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