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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利复合漏极功率晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114937698B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210587495.7，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权复合漏极功率晶体管是由毛维;裴晨;杨翠;彭国良;杜鸣;马佩军;何晓宁;张进成;郝跃设计研发完成，并于2022-05-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本复合漏极功率晶体管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种复合漏极功率晶体管及其制作方法，主要解决传统器件开启压降高，双向阻断能力有限的问题，其包括：衬底、过渡层、势垒层、钝化层，钝化层左、右侧分别为源极和欧姆电极，欧姆电极左侧从右至左依次为M个阳极块、N个肖特基电极、K个P型阵列块，欧姆电极、P型阵列块、肖特基电极和阳极块上侧为互连金属，源极与P型阵列块之间的钝化层内开有窗口，其内部依次设有P型块、i‑GaN块、栅极，该源极、栅极与欧姆电极、肖特基电极和阳极块构成HEMT结构，该肖特基电极和阳极块与其接触的势垒层和钝化层形成二极管结构。本发明降低了开启压降和反向泄露电流，提高了双向阻断能力，可用于电力电子系统。

本发明授权复合漏极功率晶体管在权利要求书中公布了：1.一种复合漏极功率晶体管，自下而上包括：衬底（1）、过渡层（2）、势垒层（3）、钝化层（4），其特征在于： 所述势垒层（3）上部的钝化层（4）左侧设置有源极槽（5），该源极槽内部设置有源极（7）； 所述钝化层（4）的最右侧设置有欧姆凹槽（6），该凹槽内部设置有欧姆电极（8），其底部与势垒层（3）的上表面接触； 所述欧姆电极（8）的左侧从右到左依次设有M个阳极块（14）、N个肖特基电极（13）、K个P型阵列块（10），阳极块（14）和肖特基电极（13）的下部位于过渡层（2）中，P型阵列块（10）的下表面与势垒层（3）的上表面接触； 所述欧姆电极（8）、P型阵列块（10）、肖特基电极（13）和阳极块（14）的上表面设有互连金属（15），用于连接欧姆电极（8）、P型阵列块（10）、肖特基电极（13）和阳极块（14），以保持这些部分的等电位； 所述源极（7）与P型阵列块（10）之间的钝化层（4）内部开有窗口（16），其内部自下而上依次设有P型块（17）、i-GaN块（18）、栅极（19）； 所述源极（7）、栅极（19）与右侧的欧姆电极（8）、肖特基电极（13）和阳极块（14）构成HEMT结构，肖特基电极（13）和阳极块（14）与其接触的势垒层（3）和钝化层（4）之间形成二极管结构，HEMT与二极管复合形成功率开关器件。

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