西安电子科技大学毛维获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利交错调制型双向阻断器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114883324B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210599885.6，技术领域涉及：H10D84/40；该发明授权交错调制型双向阻断器件及其制作方法是由毛维;裴晨;杨翠;彭国良;杜鸣;马佩军;郑雪峰;张进成;郝跃设计研发完成，并于2022-05-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本交错调制型双向阻断器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种交错调制型双向阻断器件，主要解决现有器件只能单向阻断及开启电压高的问题。其自下而上包括：衬底、过渡层、势垒层和钝化层，钝化层左侧设有源极；势垒层和钝化层的右侧设有凹槽阳极；钝化层和凹槽阳极的上表面设有互连金属；互连金属下方设有N个左阵列块与M个右阵列块，这些阵列块的下部均位于过渡层内；源极与左阵列块之间的钝化层内部设有窗口，其内依次设有P型块和i‑GaN块和栅极，该栅极、源极、阵列块及凹槽阳极构成HEMT结构，并与由阵列块、凹槽阳极及与其接触的半导体材料所构成的二极管复合，形成双向阻断器件。本发明能降低开启电压，实现双向阻断并提升阈值电压，可用于电力电子系统。
本发明授权交错调制型双向阻断器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种交错调制型双向阻断器件，自下而上包括：衬底1、过渡层2、势垒层3和钝化层4，其特征在于： 所述势垒层3上部的钝化层4的左侧设置有源极槽5，该源极槽内部设置有源极6； 所述势垒层3和钝化层4的右侧设置有凹槽阳极12，该凹槽阳极的底部位于过渡层2中； 所述凹槽阳极12和钝化层4的上表面设有互连金属13； 所述互连金属13左部的下方设有N个左阵列块10，互连金属13中部的下方设有M个右阵列块11，左阵列块10和右阵列块11的下部位于过渡层2中； 所述源极6与左阵列块10之间的钝化层4内部设有窗口14，其内部自下而上依次设有P型块15、i-GaN块16、栅极17； 所述源极6、栅极17与右侧的阵列块及凹槽阳极12构成HEMT结构，阵列块、凹槽阳极12与其接触的势垒层3和钝化层4之间形成二极管结构，HEMT与二极管复合形成双向阻断器件。
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