中国人民解放军国防科技大学吴宇列获国家专利权
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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利芯片级微粒子真空腔室及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115200780B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210736715.8，技术领域涉及：G01L21/22；该发明授权芯片级微粒子真空腔室及其制备方法是由吴宇列;吴学忠;肖定邦;蒲俊吉;曾凯设计研发完成，并于2022-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片级微粒子真空腔室及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种芯片级微粒子真空腔室及其制备方法，真空腔室包括腔室本体、第一封装层和第二封装层，腔室本体包括第一腔室、第二腔室和第三腔室；第一腔室、第二腔室和第三腔室均以第一封装层为底面，以第二封装层为顶面，第一腔室顶端与第二封装层之间还设有第三封装层，第一腔室、第二腔室和第三腔室之间设有相互连通的通道；第一腔室内装有微粒子，微粒子不能通过通道转移，第二腔室内设有无引线真空度检测传感器，无引线真空度检测传感器为具有磁性的悬臂梁，第三腔室内装有吸气剂。制备方法包括制备腔室本体、封装层、悬臂梁，并进行组装。本发明的芯片级微粒子真空腔室体积小、无外部引线，设计加工难度低。
本发明授权芯片级微粒子真空腔室及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片级微粒子真空腔室，其特征在于，包括腔室本体1、第一封装层21和第二封装层22，腔室本体1包括第一腔室11、第二腔室12和第三腔室13，所述第一腔室11、第二腔室12和第三腔室13均以第一封装层21为底面，以第二封装层22为顶面，所述第一腔室11顶端与第二封装层22之间还设有第三封装层23，所述第一腔室11、第二腔室12和第三腔室13之间设有相互连通的通道3；所述第一腔室11内装有微粒子4，所述微粒子4不能通过所述通道3转移，所述第二腔室12内设有无引线真空度检测传感器5，所述无引线真空度检测传感器5为具有磁性的悬臂梁，所述第三腔室13内装有吸气剂6； 所述悬臂梁包括用于敏感真空度的悬臂端51、固定于第二腔室12侧壁的固定端52和用于连结悬臂端51和固定端52的连结部53； 所述腔室本体1为硅基体，所述第一封装层21、第二封装层22及第三封装层23为玻璃片。
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