华进半导体封装先导技术研发中心有限公司徐成获国家专利权
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龙图腾网获悉华进半导体封装先导技术研发中心有限公司申请的专利一种扇出封装结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115050729B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210736031.8，技术领域涉及：H01L25/07；该发明授权一种扇出封装结构及其形成方法是由徐成;孙鹏;曹立强设计研发完成，并于2022-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种扇出封装结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种扇出封装结构，包括：金属互连结构，其包括多个第一绝缘层和位于多个第一绝缘层中的多个金属重布线层，且多个所述金属重布线层之间电连接；金属层，其布置在所述金属互连结构的侧面，且与最上层的金属重布线层连接；第二绝缘层，其位于所述金属互连结构的正面；凸点下金属化层，其与所述金属重布线层电连接；芯片，其布置在所述凸点下金属化层上；底填胶，其布置在芯片与第二绝缘层之间；塑封层，其将金属互连结构至芯片塑封；以及焊球，其布置在金属互连结构的背面和所述金属层上。
本发明授权一种扇出封装结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种扇出封装结构，包括： 金属互连结构，其包括多个第一绝缘层和位于多个第一绝缘层中的多个金属重布线层，且多个所述金属重布线层之间电连接； 金属层，其布置在所述金属互连结构的侧面，且与最上层的金属重布线层连接；所述金属层覆盖所述第一绝缘层的边缘； 第二绝缘层，其位于所述金属互连结构的正面；所述第二绝缘层覆盖所述金属互连结构的正面和部分所述金属层； 凸点下金属化层，其与所述金属重布线层电连接； 芯片，其布置在所述凸点下金属化层上； 底填胶，其布置在芯片与第二绝缘层之间； 塑封层，其将金属互连结构至芯片塑封；以及 焊球，其布置在金属互连结构的背面和所述金属层上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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