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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利材料中不同种类空位缺陷的识别和统计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115171797B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210768357.9，技术领域涉及：G16C10/00；该发明授权材料中不同种类空位缺陷的识别和统计方法是由李兴冀;荆宇航;杨剑群;徐晓东设计研发完成，并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本材料中不同种类空位缺陷的识别和统计方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种材料中不同种类空位缺陷的识别和统计方法。属于模拟技术领域。所述方法包括建立与材料对应的体系模型；设定模拟参数，利用分子动力学方法对所述体系模型进行缺陷演化模拟计算；获取缺陷演化过程直至缺陷演化完成后的各体系结构，并获取所述体系结构中的空位缺陷及其坐标信息；利用团簇分析法将所述空位缺陷划分为不同种类的空位团簇；统计同一种类所述空位团簇的数目，根据各体系结构中空位团簇的信息，得到不同种类空位缺陷随时间演化的关系。本发明可以直观且准确的表征出半导体材料受辐照后材料中各类空位缺陷的存在情况，且方法逻辑清晰，步骤简单、易于操作。

本发明授权材料中不同种类空位缺陷的识别和统计方法在权利要求书中公布了：1.一种材料中不同种类空位缺陷的识别和统计方法，其特征在于，包括： 步骤S1，建立与材料对应的体系模型； 步骤S2，设定模拟参数，利用分子动力学方法对所述体系模型进行缺陷演化模拟计算； 步骤S3，获取缺陷演化过程直至缺陷演化完成后的各体系结构，并获取所述体系结构中的空位缺陷及其坐标信息； 步骤S4，利用团簇分析法将所述空位缺陷划分为不同种类的空位团簇，包括：将位于截断半径内的空位缺陷划分为一个空位团簇，统计所述空位团簇内的空位缺陷的数目，根据所述空位团簇内所述空位缺陷的数目，将所述空位团簇划分为不同种类，得到不同种类的空位团簇，其中，所述将位于截断半径内的空位缺陷划分为一个空位团簇，包括：当标定空位缺陷的截断半径内没有其它空位缺陷时，所述标定空位缺陷为单空位缺陷；当相邻两个空位缺陷之间的距离小于或等于所述截断半径时，所述相邻两个空位缺陷划分为双空位团簇；当位于所述双空位团簇中的任意一个空位缺陷的截断半径内存在其它n个空位缺陷时，将n+2个空位缺陷划分为n+2空位团簇；当位于所述n+2空位团簇中的任意一个空位缺陷的截断半径内存在其它m个空位缺陷时，将n+2+m个空位缺陷划分为n+2+m空位团簇，其中n≥1，m≥1；按照此方式依次进行，直至标定空位团簇内的任意一个空位缺陷的截断半径内不存在其它空位缺陷时，根据所述标定空位团簇内的所述空位缺陷的数目确定所述标定空位团簇的种类； 步骤S5，统计同一种类所述空位团簇的数目，根据各体系结构中空位团簇的信息，得到不同种类空位缺陷随时间演化的关系。

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