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龙图腾网获悉西安北方华创微电子装备有限公司;北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利一种半导体工艺设备的镀膜控制方法和半导体工艺设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115129009B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210767463.5，技术领域涉及：G05B19/418；该发明授权一种半导体工艺设备的镀膜控制方法和半导体工艺设备是由王昭辉;林源为设计研发完成，并于2022-07-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体工艺设备的镀膜控制方法和半导体工艺设备在说明书摘要公布了：本发明实施例提供了一种半导体工艺设备的镀膜控制方法和半导体工艺设备，该方法包括：获取目标时间内的异常放电信息；对补偿工艺时间增加与异常放电信息对应的增量；将已执行工艺时间加上目标时间与工艺设定时间进行比较，根据是否到达工艺补偿阶段和或异常放电信息是否满足预设要求，继续工艺阶段，并执行下一个目标时间的工艺，或根据更新后的补偿工艺时间更新工艺时间，进行补偿工艺阶段，执行下一个目标时间的工艺，或结束工艺。通过自动化的算法将异常放电对镀膜的影响自动纳入到整个工艺过程中，可以自动补偿异常放电对镀膜膜厚或品质影响，提高机台的自动化水平，避免因异常放电而造成产能下降的问题，节约生产成本。

本发明授权一种半导体工艺设备的镀膜控制方法和半导体工艺设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体工艺设备的镀膜控制方法，其特征在于，所述半导体工艺设备基于等离子体对晶圆进行镀膜工艺，所述镀膜工艺包括工艺阶段和工艺补偿阶段，所述方法包括： 在按照工艺设定时间t进行所述工艺阶段中，确定目标时间并执行所述目标时间的工艺； 获取所述目标时间内的异常放电信息； 对补偿工艺时间Q增加与所述目标时间内的所述异常放电信息对应的时间增量； 将已执行工艺时间P加上所述目标时间得出的预期工艺时间与所述工艺设定时间t进行比较，确定是否到达工艺补偿阶段；以及判断所述异常放电信息是否满足预设要求； 根据是否到达所述工艺补偿阶段和或所述异常放电信息是否满足预设要求，判断：继续进行所述工艺阶段，并执行下一个目标时间的工艺，或者，根据更新后的所述补偿工艺时间Q更新所述工艺设定时间t，进行补偿工艺阶段，并执行下一个目标时间的工艺，或者，结束工艺； 所述获取所述目标时间内的异常放电信息，包括： 获取所述目标时间内的异常放电时间比率；所述异常放电时间比率为r’=nLt’，其中，n为在所述目标时间t’内所检测到的异常放电次数，L为单次异常放电的单位时间。

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