深圳市尚鼎芯科技有限公司刘道国获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市尚鼎芯科技有限公司申请的专利一种增加晶圆强度的晶圆制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115206788B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210822503.1，技术领域涉及：H01L21/265；该发明授权一种增加晶圆强度的晶圆制备方法是由刘道国设计研发完成，并于2022-07-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种增加晶圆强度的晶圆制备方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种增加晶圆强度的晶圆制备方法，包括：在完成晶圆研磨后，对晶圆背面进行离子束注入；对完成离子束注入的晶圆背面进行高温退火；在晶圆正面上制备多个凸起的金属块，多个金属块以预设的横向间隔和预设的纵向间隔均布；对晶圆进行切割；对切割后的晶圆进行清理。本技术方案中，通过引入了离子束注入工艺和高温退火工艺，并在在晶圆金属层上设置了聚亚酰胺层，可有效提高晶圆强度，使得晶圆在减薄工艺的后续制备过程中不易开裂。
本发明授权一种增加晶圆强度的晶圆制备方法在权利要求书中公布了：1.一种增加晶圆强度的晶圆制备方法，其特征在于，包括： 在完成晶圆研磨后，从晶圆背面对所述晶圆进行离子束注入，所述晶圆背面是指晶圆上未经研磨的平面； 对完成离子束注入的所述晶圆进行高温退火； 在晶圆正面上制备多个凸起的金属块，并使所述多个金属块以预设的横向间隔和预设的纵向间隔均布，所述晶圆正面是指晶圆上经过研磨的平面； 对所述晶圆进行切割； 对切割后的所述晶圆进行清理； 其中，所述对所述晶圆进行离子束注入，具体包括： 选用硼离子和磷离子作为注入离子； 将所述注入离子的温度控制在600～700℃进行离子束注入； 所述高温退火的温度范围为300℃～700℃；所述高温退火的时间范围为0.5h～3h； 在所述对完成离子束注入的所述晶圆进行高温退火之后，还包括：在所述晶圆背面上制备晶圆金属层； 在所述晶圆金属层上制备第一聚酰亚胺层； 所述第一聚酰亚胺层的厚度范围为5～10μm。
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