青岛元动芯能源科技有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉青岛元动芯能源科技有限公司申请的专利一种基于氚源的条状PIN结型β辐射伏特效应同位素电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115050503B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210824588.7，技术领域涉及：G21H1/06；该发明授权一种基于氚源的条状PIN结型β辐射伏特效应同位素电池是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2022-07-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于氚源的条状PIN结型β辐射伏特效应同位素电池在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于氚源的条状PIN结型β辐射伏特效应同位素电池，涉及同位素电池技术领域，两个单元模块的半导体对置，通过阴极金属电极进行连接和支撑，半导体本征层及P+层为条状，在侧面间隙处镀有氚基放射源。本发明中氚基放射源的产生额β粒子入射到半导体内后绝大部分将落入耗尽层中，产生的电子空穴对可大概率被收集，可避免传统方案中氚基放射源由于穿透深度低而落在P+层导致收集效率低的问题，此外，氚基放射源双面发射的电子均可被半导体捕获，可以实现基于氚源的高效辐射伏特效应同位素电池。
本发明授权一种基于氚源的条状PIN结型β辐射伏特效应同位素电池在权利要求书中公布了：1.一种基于氚源的条状PIN结型β辐射伏特效应同位素电池，其特征在于： 包括半导体单元模块，所述半导体单元模块由半导体本征层（1）、重掺杂的半导体P+层（2）和重掺杂的半导体薄膜N+层（3）构成，所述半导体单元模块的顶部和底部分别设有阳极金属电极（7）、阴极金属电极（6），两个所述半导体单元模块共用一个阴极金属电极（6），并以阴极金属电极（6）为中心相对设置； 所述半导体P+层（2）加载在半导体本征层（1）的顶部，所述半导体薄膜N+层（3）位于半导体本征层（1）的底部； 所述阳极金属电极（7）镀在半导体P+层（2）的顶部，所述半导体本征层（1）的侧面镀有氚基放射源（5），所述半导体本征层（1）与氚基放射源（5）之间设有钝化层（4）； 其中，所述半导体本征层（1）为条状，宽度为≤20μm，相邻半导体本征层（1）之间的间隔宽度≤20μm，且所述氚基放射源（5）位于所述间隔内，使得β粒子从两侧直接入射至半导体本征层（1）的耗尽区。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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