长江存储科技有限责任公司罗杰获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体结构的制作方法和半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115132583B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210858366.7，技术领域涉及：H01L21/311；该发明授权半导体结构的制作方法和半导体结构是由罗杰;刘立芃;曾最新设计研发完成，并于2022-07-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制作方法和半导体结构在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体结构的制作方法和半导体结构。该方法包括：提供基底，基底包括依次叠置的衬底、堆叠结构以及介质层，基底还包括多个沟道结构，沟道结构位于堆叠结构中并延伸至介质层中；去除部分介质层，在介质层中形成凹槽，凹槽使得对应的沟道结构的部分露出，凹槽的至少一个侧壁具有台阶结构，台阶结构至少包括一个台阶。该方法将凹槽的至少一个侧壁形成台阶结构，台阶结构至少包括一个台阶，不同台阶流进凹槽的光刻胶的能量不一样，越低的台阶流进凹槽的光刻胶能量越少，因此，使得在凹槽附近产生的波纹减少，从而减轻了失色现象，进而解决了现有技术中对准标记的凹槽附近产生的波纹较多导致旋涂光刻胶时产生失色现象的问题。
本发明授权半导体结构的制作方法和半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括依次叠置的衬底、堆叠结构以及介质层，所述基底还包括多个沟道结构，所述沟道结构位于所述堆叠结构中并延伸至所述介质层中； 去除部分所述介质层，在所述介质层中形成凹槽，所述凹槽使得对应的所述沟道结构的部分露出，所述部分露出的所述沟道结构作为光刻对准标记，所述凹槽的至少一个侧壁具有台阶结构，所述台阶结构至少包括一个台阶，以使不同所述台阶流进所述凹槽的光刻胶的能量不一样，越低的所述台阶流进所述凹槽的光刻胶能量越少， 所述堆叠结构为依次交叠设置的绝缘介质层和牺牲层，所述绝缘介质层至少包括二氧化硅，所述牺牲层至少包括氮化硅，所述沟道结构包括多个沿第一方向上排列的沟道结构，所述第一方向为垂直于所述衬底的厚度的方向。
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