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电子科技大学长三角研究院(衢州)廖家轩获国家专利权

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龙图腾网获悉电子科技大学长三角研究院(衢州)申请的专利一种三维多孔钴—铟合金电极的制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115224247B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210903944.4,技术领域涉及:H01M4/1395;该发明授权一种三维多孔钴—铟合金电极的制备方法是由廖家轩;王思哲;王毅;魏雄邦;俞健;宋尧琛;毕林楠设计研发完成,并于2022-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。

一种三维多孔钴—铟合金电极的制备方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种三维多孔钴—铟合金电极的制备方法,包括以下步骤:第一步、量取一定体积比的酸和蒸馏水置于烧杯中形成稀酸溶液;将泡沫钴Co作为磁性基体静置于稀酸溶液中以除去表面氧化物等杂质;用无水乙醇和蒸馏水交换洗涤泡沫钴Co,洗涤3~5次后置于真空干燥箱中干燥;第二步、将铟In在对辊机上辊压2~5次后形成In薄片;第三步、将步骤S2得到的In薄片置于步骤S1得到的泡沫钴Co上,在对辊机中辊压2~5次得到Co‑In片;第四步、将步骤S3得到的Co‑In片在高纯度氩气中加热数小时,冷却至室温后得到Co‑In复合材料。本发明所提供的一种三维多孔钴—铟合金电极的制备方法,有效避免不均匀的锂成核、沉积和枝晶状锂的形成。

本发明授权一种三维多孔钴—铟合金电极的制备方法在权利要求书中公布了:1.一种三维多孔钴—铟合金电极的制备方法,其特征在于,包括以下步骤: S1、量取一定体积比的酸和蒸馏水置于烧杯中形成稀酸溶液;将泡沫钴作为磁性基体静置于稀酸溶液中以除去表面氧化物杂质;用无水乙醇和蒸馏水交换洗涤泡沫钴,洗涤3~5次后置于真空干燥箱中干燥; S2、将铟在对辊机上辊压2~5次后形成In薄片; S3、将步骤S2得到的In薄片置于步骤S1得到的泡沫钴上,在对辊机中辊压2~5次得到Co-In片; S4、将步骤S3得到的Co-In片在高纯度氩气中加热数小时,冷却至室温后得到Co-In复合材料,所述Co-In片加热温度为100℃~1200℃,在泡沫Co表面形成亲锂CoIn3颗粒。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人电子科技大学长三角研究院(衢州),其通讯地址为:324000 浙江省衢州市柯城区芹江东路288号1幢18楼;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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