华邦电子股份有限公司金子二四三获国家专利权
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龙图腾网获悉华邦电子股份有限公司申请的专利半导体存储装置及读出方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115732015B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210914989.1，技术领域涉及：G11C29/42；该发明授权半导体存储装置及读出方法是由金子二四三;妹尾真言;葛西央伦设计研发完成，并于2022-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储装置及读出方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体存储装置及读出方法，可实现错误检测及纠正的处理的高速化且达成小型化。本发明的闪存100具有NAND芯片200及ECC芯片300。NAND芯片200包括存储器阵列、以及包含锁存器L1及锁存器L2的页缓冲感测电路。ECC芯片300包含RAM_E、RAM_O，此RAM_E、RAM_O保持从NAND芯片200的锁存器L1、L2输出的读出数据，RAM_E保持第偶数个扇区的数据，RAM_O保持第奇数个扇区的数据，可通过使RAM_E或RAM_O交替保持扇区的数据从而削减RAM_E、RAM_O的数据尺寸。
本发明授权半导体存储装置及读出方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，包括： 与非芯片，包括与非型的存储器阵列、控制部件及输出部件，所述控制部件控制存储器阵列的读出动作，所述输出部件将从所述存储器阵列读出的数据输出至错误检测纠正芯片； 错误检测纠正芯片，包括第一保持部及第二保持部、以及错误检测纠正部件，所述错误检测纠正部件进行保持于所述第一保持部及第二保持部的数据的错误检测及纠正，且 当一页包含n个扇区时，所述输出部件以扇区为单位将数据输出至所述错误检测纠正芯片，所述第一保持部保持第偶数个扇区的数据，所述第二保持部保持第奇数个扇区的数据，所述错误检测纠正部件进行从第一保持部或第二保持部读出的数据的错误检测及纠正。
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