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龙图腾网获悉中晟鲲鹏光电半导体有限公司;浙江同芯祺科技有限公司申请的专利一种化合物半导体晶圆的制程改进加工工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115424971B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210955553.7，技术领域涉及：H01L21/683；该发明授权一种化合物半导体晶圆的制程改进加工工艺是由严立巍;马晴;刘文杰;林春慧设计研发完成，并于2022-08-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种化合物半导体晶圆的制程改进加工工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及晶圆加工技术领域，公开一种化合物半导体晶圆的制程改进加工工艺，所述加工工艺包括以下步骤：S1、完成晶圆前段晶体工艺；S2、将晶圆与玻璃载板临时键合；S3、对背面进行减薄并制作背面元件工艺；S4、将背面放在第一载盘上并去除玻璃载板；S5、完成沉积物对晶圆边缘的固定并进行高温回火工艺激活离子和正面工艺；S6、将晶圆正面键合到第二载盘上，并去除正面的第一载盘；S7、对晶圆背面继续进行制程工艺；S8、进行切割工艺；S9、将切割好的晶粒贴附在切割模框上，去除第三载盘，完成晶圆的加工。本发明采用四次键合技术，通过临时键合的玻璃载板后，采用正面与背面制程同步进行，简化操作步骤，操作难度低。

本发明授权一种化合物半导体晶圆的制程改进加工工艺在权利要求书中公布了：1.一种化合物半导体晶圆的制程改进加工工艺，其特征在于，所述加工工艺包括以下步骤： S1、完成小尺寸的化合物半导体基板（1）前段晶体工艺，包含Gate、氧化层和栅极、离子植入和回火工艺； S2、将化合物半导体基板（1）正面沉积ILD层（11）后与玻璃载板（2）临时键合； S3、翻转玻璃载板（2），对化合物半导体基板（1）的背面进行研磨蚀刻减薄，制作背面元件工艺； S3中背面元件工艺包括涂布光阻、曝光、显影、离子植入、去除光阻； S4、翻转化合物半导体基板（1），将背面放在第一载盘（3）上，再去除玻璃载板（2）； S5、在化合物半导体基板（1）正面利用CVD工艺填充沉积物（4），对化合物半导体基板（1）上的沉积物（4）进行部分去除，再进行高温回火工艺激活离子，再进行正面工艺； S6、对S5中化合物半导体基板（1）正面，键合到第二载盘（5）上，翻转化合物半导体基板（1）后，去除背面的第一载盘（3）； S7、对晶圆背面继续进行制程工艺； 所述S7中制程工艺包括：先在化合物半导体基板（1）上涂布聚酰亚胺（7），然后去除化合物半导体基板（1）上方的聚酰亚胺（7），至晶圆上方漏出，留下边缘的聚酰亚胺（7）对晶圆进行固定，再对化合物半导体基板（1）背面进行金属沉积、化镀电镀工艺，并完成金属与化合物半导体的合金形成加热工艺； S8、进行切割工艺，形成晶粒； 所述切割工艺操作如下： 将晶圆背面贴附在切割模框（6）上，翻转并去除正面的第二载盘（5），并将空隙处的金属一并掀起，然后使用钻石刀轮、激光或电浆蚀刻切割化合物半导体晶圆，形成晶粒，确保化合物半导体基板（1）的边缘没有任何金属与空隙区域的金属有连接； S9、完成化合物半导体基板（1）的加工，进行后续的封装和测试支撑； 所述第一载盘（3）、第二载盘（5）均为耐高温透明的载盘。

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