买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉商丘师范学院申请的专利一种铜锌锡硫微纳二级阵列结构、制备方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115440836B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211082963.1，技术领域涉及：H10F77/12；该发明授权一种铜锌锡硫微纳二级阵列结构、制备方法及其应用是由张良;李立强;曹译恒;张佳琪;贺敬岩设计研发完成，并于2022-09-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种铜锌锡硫微纳二级阵列结构、制备方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种铜锌锡硫微纳二级阵列结构，其由规则排列的微米级半导体球冠、和在球冠表面辐射状生长的半导体纳米管构成，所述半导体为具有单晶结构的铜锌锡硫；所述规则排列的微米级球冠的直径为0.05‑50μm，球冠之间的间隔为0.01‑100μm。微纳二级阵列结构中辐射状生长的半导体纳米管具有较大的比表面积，对光的吸收较纳米线阵列有明显的增强；同时由于微米级半导体球冠外侧纳米管呈辐射状生长，使得从各个角度入射的光线都能够得到很好的吸收，降低了微纳二级阵列对光线入射角度的敏感性。本发明微纳二级阵列结构在光伏领域应用时能够增大太阳能电池对光的吸收，降低太阳能电池成本，提高太阳能电池光电转换效率。

本发明授权一种铜锌锡硫微纳二级阵列结构、制备方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种铜锌锡硫微纳二级阵列结构的制备方法，其特征在于，所述铜锌锡硫微纳二级阵列结构由规则排列的微米级半导体球冠、和在球冠表面辐射状生长的半导体纳米管构成； 所述半导体为具有单晶结构的铜锌锡硫；所述规则排列的微米级球冠的直径为0.05-50μm，球冠之间的间隔为0.01-100μm； 所述辐射状生长的半导体纳米管的外径为10nm-500nm，长度为20nm-50μm； 所述铜锌锡硫微纳二级阵列结构经下述步骤制备获得： 1）采用电化学沉积法，在洁净的衬底上沉积导电薄膜； 2）采用电化学沉积法，在导电薄膜上沉积氧化锌薄膜，然后放入硫化氢、或氧气-硫化氢混合气体中，在0-200℃条件下放置1-500h，使氧化锌变为ZnS微纳二级阵列； 3）采用溶剂热法将ZnS微纳二级阵列中的部分锌替换为铜和锡，再经过硫化即得；具体为：配制含有铜、锡两种离子的三甘醇前驱液，然后将三甘醇前驱液和步骤2）的产物放入反应釜中，反应釜密封后在10-200℃反应0.5-50h；反应结束后将产物再置于H2S气氛中，在400-500℃条件下加热0.1-50h。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人商丘师范学院，其通讯地址为：476000 河南省商丘市平原中路55号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。