武汉镧芯光电技术有限公司杨思美获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉镧芯光电技术有限公司申请的专利一种兼容G652D标准的大模场G657A2光纤获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115542455B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211182397.1，技术领域涉及：G02B6/036；该发明授权一种兼容G652D标准的大模场G657A2光纤是由杨思美;罗小晖;毛秀;李小涛;李涛设计研发完成，并于2022-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种兼容G652D标准的大模场G657A2光纤在说明书摘要公布了：本发明公开了一种兼容G.652D标准的G.657A2光纤，其玻璃部分由内而外依次包括：折射率分布为阶跃型的芯层、第一包层、以及第二包层；其中第一包层邻接并包围芯层，所述第二包层邻接并包围第一包层；所述芯层的折射率均匀，其折射率N0在1.4610～1.4641之间；所述第一包层的折射率N1在1.4550～1.4570之间变化；所述第二包层与第一包层之间邻接处的折射率差大于0.0021。本发明提供兼容G652D标准的大模场G657A2光纤，其第一包层采用了折射率周向变化结构，增加了光纤的模场直径，使得G.657A2光纤也能达到G.652D光纤的模场直径参数水平，在不牺牲宏弯性能的前提下增大了模场直径。
本发明授权一种兼容G652D标准的大模场G657A2光纤在权利要求书中公布了：1.一种兼容G.652D标准的G.657A2光纤，其特征在于，其玻璃部分由内而外依次包括：折射率分布为阶跃型的芯层、第一包层、以及第二包层；其中第一包层邻接并包围芯层，所述第二包层邻接并包围第一包层； 所述芯层的折射率均匀，其折射率N0在1.4610～1.4641之间；所述第一包层的折射率N1在1.4550～1.4570之间变化；所述第二包层与第一包层之间邻接处的折射率差大于0.0021； 以光纤横截面为平面，以该截面的芯层中心为极点建立极坐标系，极角为θ，极径为ρ，ρ＝D02为第一包层与芯层的邻接界线，其中D0为芯层直径； 在邻接界线ρ＝D02上，所述第一包层的折射率沿圆周方向变化，即：N1＝Fθ； 且N1在邻接界线ρ＝D02上极大值与极小值之差不大于0.0020。
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