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龙图腾网获悉中国科学院光电技术研究所申请的专利衬底上光刻结构的返工清洗方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115440576B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211219249.2，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权衬底上光刻结构的返工清洗方法是由罗先刚;朱瑶瑶;罗云飞;刘凯鹏;张译尹;赵泽宇设计研发完成，并于2022-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本衬底上光刻结构的返工清洗方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种衬底上光刻结构的返工清洗方法，返工的光刻结构自下而上包括衬底、有机底层结构层、硅氧基硬掩模中间结构层、光刻胶层，该方法包括：S1，利用干法刻蚀或湿法清洗去除光刻胶层；S2，利用反应离子刻蚀去除硅氧基硬掩模中间结构层；S3，利用电感耦合等离子体刻蚀去除有机底层结构层；S4，利用反应离子刻蚀对衬底表面的残留微粒进行倾斜刻蚀，以减小残留微粒与衬底的接触面积；S5，将S4所得的衬底依次置于有机溶剂中浸泡、去离子水中清洗；S6，将S5所得的衬底置于加热的浓硫酸与过氧化氢混合溶液中浸泡，以去除倾斜刻蚀后的残留微粒；再使用去离子水清洗，完成返工清洗。本公开的方法能有效去除残留微粒，使衬底达到重复利用的标准。

本发明授权衬底上光刻结构的返工清洗方法在权利要求书中公布了：1.一种衬底上光刻结构的返工清洗方法，返工的光刻结构自下而上包括衬底（2）、有机底层结构层（3）、硅氧基硬掩模中间结构层（4）、光刻胶层（5），其特征在于，包括： S1，利用干法刻蚀或湿法清洗去除所述光刻胶层（5）； S2，利用反应离子刻蚀去除所述硅氧基硬掩模中间结构层（4）； S3，利用电感耦合等离子体刻蚀去除所述有机底层结构层（3）； S4，利用反应离子刻蚀对所述衬底（2）表面的残留微粒（6）进行倾斜刻蚀，以减小所述残留微粒（6）与所述衬底（2）的接触面积，得到倾斜刻蚀后的残留微粒（7）；利用反应离子刻蚀将所述衬底（2）表面的残留微粒（6）的纵向截面或纵向截面的下部分刻蚀成倒梯形； S5，将S4所得的衬底（2）依次置于有机溶剂中浸泡、去离子水中清洗； S6，将S5所得的衬底（2）置于加热的浓硫酸与过氧化氢混合溶液中浸泡，以去除所述倾斜刻蚀后的残留微粒（7）；再使用去离子水清洗，完成返工清洗流程。

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