山东华芯半导体有限公司王运哲获国家专利权
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龙图腾网获悉山东华芯半导体有限公司申请的专利一种实现SSD主控RAID的SRAM访问装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115691610B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211353746.1,技术领域涉及:G11C11/419;该发明授权一种实现SSD主控RAID的SRAM访问装置是由王运哲;姚香君;衣瑞刚;王帅;夏丽煖;沈艺;刘奇浩设计研发完成,并于2022-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种实现SSD主控RAID的SRAM访问装置在说明书摘要公布了:本发明公开一种实现SSD主控中RAID的SRAM访问装置,包括两块单口SRAM以及与单口SRAM相连的逻辑控制电路,逻辑控制电路控制两块单口SRAM在同一时钟周期分别进行读或写操作,并且两块单口SRAM交替作为奇偶地址SRAM,作为奇地址SRAM时,进行奇地址数据的读或写,作为偶地址SRAM时,进行偶地址数据的读或写;逻辑控制电路包括奇偶标志逻辑电路、使能逻辑电路、写使能逻辑电路、地址多选器、读数据多路选择器和读数据缓存电路。本发明使用两片SPSRAM以及相应的控制逻辑电路,在保证功能的前提下使芯片面积减小、功耗降低、频率提高。
本发明授权一种实现SSD主控RAID的SRAM访问装置在权利要求书中公布了:1.一种实现SSD主控中RAID的SRAM访问装置,其特征在于:包括两块单口SRAM以及与单口SRAM相连的逻辑控制电路,逻辑控制电路控制两块单口SRAM在同一时钟周期分别进行读或写操作,并且两块单口SRAM交替作为奇偶地址SRAM,作为奇地址SRAM时,进行奇地址数据的读或写,作为偶地址SRAM时,进行偶地址数据的读或写; 逻辑控制电路包括奇偶标志逻辑电路、使能逻辑电路、写使能逻辑电路、地址多选器、读数据多路选择器和读数据缓存电路; 奇偶标志逻辑电路用于标志单口SRAM用作偶地址SRAM还是奇地址SRAM,奇偶标志逻辑电路的输入端连接start信号和init信号,受start信号触发翻转,并根据是否为init数据调整标志,奇偶标志逻辑电路的输出端连接至使能逻辑电路;使能逻辑电路的输入端与奇偶标志逻辑电路的输出信号、系统en信号、start信号相连,使能逻辑电路的输出端与单口SRAM的使能端口相连,用于根据系统en信号、start信号及奇偶标志决定是否使能单口SRAM; 写使能逻辑电路的输入端与奇偶标志逻辑电路的输出信号、写地址最低位信号、写使能信号相连,写使能逻辑电路的输出端与单口SRAM的写使能端口相连,用于根据奇偶标志和是否第一次进数选择是否对单口SRAM写使能; 地址多选器用于根据写使能信号选择系统写地址还是系统读地址作为sram的地址信号; 读数据缓存电路与单口SRAM读数据输出端相连,用于缓存从单口SRAM中读出的数据; 读数据多路选择器与两块单口SRAM读数据输出端、读数据缓存电路的输出端相连,用于从单口SRAM读数据、单口SRAM读数据缓存中选择一路数据输出,该数据即为当前系统地址所对应的上一轮数据校验计算结果。
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