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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115692322B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211364834.1，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权一种半导体器件的制造方法是由李永亮;陈安澜设计研发完成，并于2022-11-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域，以简化CFET器件的制造流程，降低CFET器件的制造难度。所述半导体器件的制造方法包括：在半导体基底上依次形成隔离层和掺杂半导体层。掺杂半导体层各区域的掺杂类型和掺杂浓度均相同。重复上述操作，直至在半导体基底上形成至少一层第一叠层、以及位于至少一层第一叠层上的至少一层第二叠层。至少对至少一层第一叠层和至少一层第二叠层进行图案化处理，以形成鳍状结构。沿鳍状结构的长度方向，至少对至少一层第二叠层的边缘区域进行选择性刻蚀，以使得每层掺杂半导体层的长度小于位于自身下方的另一掺杂半导体层的长度，并使得每层隔离层的长度小于位于自身下方的掺杂半导体层的长度。

本发明授权一种半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 在半导体基底上依次形成隔离层和掺杂半导体层；所述掺杂半导体层各区域的掺杂类型和掺杂浓度均相同； 重复上述操作，直至在所述半导体基底上形成至少一层第一叠层、以及位于所述至少一层第一叠层上的至少一层第二叠层；沿所述半导体基底的厚度方向，每层所述第二叠层和每层所述第一叠层均包括所述隔离层、以及位于所述隔离层上的所述掺杂半导体层；所述第一叠层包括的掺杂半导体层和所述第二叠层包括的掺杂半导体层的掺杂类型相反； 至少对所述至少一层第一叠层和所述至少一层第二叠层进行图案化处理，以在所述半导体基底上形成鳍状结构； 沿所述鳍状结构的长度方向，至少对所述至少一层第二叠层的边缘区域进行选择性刻蚀，以使得每层所述掺杂半导体层的长度小于位于自身下方的另一所述掺杂半导体层的长度，并使得每层所述隔离层的长度小于位于自身下方的所述掺杂半导体层的长度； 基于所述至少一层第一叠层制造第一无结型晶体管，并基于所述至少一层第二叠层制造第二无结型晶体管；所述隔离层的长度方向和所述掺杂半导体层的长度方向均平行于所述第一无结型晶体管和所述无结型晶体管包括的栅堆叠结构的长度方向。

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