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新余赛维铸晶技术有限公司罗鸿志获国家专利权

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龙图腾网获悉新余赛维铸晶技术有限公司申请的专利硅块端面的位错比例值的评估方法、去除方法、装置和介质获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116046731B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211401464.4,技术领域涉及:G01N21/63;该发明授权硅块端面的位错比例值的评估方法、去除方法、装置和介质是由罗鸿志;何亮;李建敏;徐云飞;张细根;周成;毛伟;王文平;甘胜泉设计研发完成,并于2022-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。

硅块端面的位错比例值的评估方法、去除方法、装置和介质在说明书摘要公布了:本发明公开一种硅块端面的位错比例值的评估方法、去除方法、评估装置和存储介质,其中,评估方法包括测量硅块端面的光致发光图片;判断并获取第一位错区域,第一位错区域为光致发光图片中灰度值小于灰度值阈值的区域;判断并获取第一位错区域的误判位错区域;其中,误判位错区域包括线痕误判位错区域和或偏暗区域误判位错区域;计算第一位错区域的面积与误判位错区域的面积的差值;计算差值与硅块的端面面积的百分比,得到硅块端面的位错比例值。本发明中通过剔除了线痕和偏暗区域造成的位错误判现象,有效提高了位错比例评估的准确性,避免了因位错误判导致铸锭单晶硅块去除损失,保障了铸锭单晶产品良率。

本发明授权硅块端面的位错比例值的评估方法、去除方法、装置和介质在权利要求书中公布了:1.一种硅块端面的位错比例值的评估方法,其特征在于,适用于铸造单晶硅块,所述方法包括: 测量硅块端面的光致发光图片; 判断并获取第一位错区域,所述第一位错区域为所述光致发光图片中灰度值小于灰度值阈值的区域; 判断并获取所述第一位错区域的误判位错区域;其中,所述误判位错区域为线痕误判位错区域和或偏暗误判位错区域; 计算所述第一位错区域的面积与所述误判位错区域的面积的差值; 计算所述差值与所述硅块的端面面积的百分比,得到所述硅块端面的位错比例值; 其中,所述线痕误判位错区域的判断方法为: 测量所述第一位错区域中直线或劣弧曲线的长度; 当处于所述第一位错区域的直线或劣弧曲线的长度大于第一预设长度时,判断所述第一位错区域为误判位错区域; 所述偏暗误判位错区域的判断方法为: 测量所述第一位错区域中的块状区域,所述块状区域是由多条直线或曲线形成的灰度值小于灰度阈值的区域,所述块状区域的面积大于等于1cm2;其中,当所述块状区域中无闭环状结构图形时,判断所述第一位错区域为误判位错区域;所述闭环状结构图形为单条或多条直线或曲线形成的环形外圈以及被所述环形外圈包围的中心区域,所述环形外圈的灰度值分布在灰度值阈值范围内,所述中心区域的灰度值大于灰度值阈值。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人新余赛维铸晶技术有限公司,其通讯地址为:338000 江西省新余市高新开发区赛维大道1950号江西赛维LDK太阳能高科技有限公司研发大楼2楼;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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