清华大学骞伟中获国家专利权
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龙图腾网获悉清华大学申请的专利三维全通孔铝结构体的制造方法与系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115798943B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211423405.7,技术领域涉及:H01G11/84;该发明授权三维全通孔铝结构体的制造方法与系统是由骞伟中;崔超婕;魏少鑫;李博凡;张抒婷;于翔;王瑾设计研发完成,并于2022-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维全通孔铝结构体的制造方法与系统在说明书摘要公布了:本发明提供一种三维全通孔铝结构体的制造系统,包括熔盐电解子系统1、清洗子系统2、聚合物薄膜分解及真空烧结子系统3和聚合物薄膜传送子系统4。本发明通过聚合物薄膜传送子系统4使多孔聚合物薄膜在熔盐电解子系统1中,利用含铝熔盐电解析出的原理,在多孔聚合物薄膜表面沉积4‑90μm厚的铝层,形成铝包覆结构;然后通过清洗子系统2除去铝包覆结构表面附着的熔盐;最后再通过聚合物薄膜分解及真空烧结子系统3高温分解铝包覆结构中的多孔聚合物薄膜,得到纯铝膜带,并进一步原位实施高温真空烧结处理,使空心结构的纯铝膜带实心化,得到最终三维全通孔铝结构体产品。
本发明授权三维全通孔铝结构体的制造方法与系统在权利要求书中公布了:1.一种三维全通孔铝结构体的制造系统,其特征在于,所述制造系统包括: 熔盐电解子系统(1),用于电解含铝熔盐,在多孔聚合物薄膜表面沉积铝层,形成铝包覆结构; 清洗子系统(2),用于清洗所述铝包覆结构上附着的熔盐; 聚合物薄膜分解及真空烧结子系统(3),用于高温分解所述铝包覆结构中的多孔聚合物薄膜,得到纯铝膜带,以及原位真空烧结纯铝膜带,获得三维全通孔铝结构体;对所述纯铝膜带进行真空烧结的温度为400-600℃,时间为0.5-5h,压力为5-100Pa; 所述聚合物薄膜分解及真空烧结子系统(3)包括:气体进口(15)、分解尾气出口(16)和气体出口(17); 所述气体进口(15)为所述聚合物薄膜分解及真空烧结子系统(3)提供流动气体,用于干燥所述铝包覆结构; 所述分解尾气出口(16)在所述聚合物薄膜分解及真空烧结子系统(3)进行高温处理时,将高温气体回流至熔盐电解子系统(1),为熔盐电解子系统(1)提供热能,实现热量回收利用; 所述气体出口(17)在所述聚合物薄膜分解及真空烧结子系统(3)进行原位真空烧结纯铝膜带时,将气体排出所述聚合物薄膜分解及真空烧结子系统(3); 聚合物薄膜传送子系统(4),用于将多孔聚合物薄膜依次送入熔盐电解子系统(1)、清洗子系统(2)和聚合物薄膜分解及真空烧结子系统(3)。
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