上海交通大学杜江兵获国家专利权
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龙图腾网获悉上海交通大学申请的专利双层光芯片及光芯片与光纤耦合的耦合接口结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115793137B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211426560.4，技术领域涉及：G02B6/12；该发明授权双层光芯片及光芯片与光纤耦合的耦合接口结构是由杜江兵;王兆年;何祖源设计研发完成，并于2022-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本双层光芯片及光芯片与光纤耦合的耦合接口结构在说明书摘要公布了：本发明提供了一种双层光芯片及光芯片与光纤耦合的耦合接口结构，所述双层光芯片，所述双层光芯片为层状结构，双层光芯包括依次由下至上设置的第一衬底层、第二衬底层、下层波导、第一隔离层、上层波导、第二隔离层以及片上热源；所述第一衬底层用于支撑整个光芯片的结构强度以及隔绝外部光信号；第二衬底层向下层波导提供依托，同时避免上层波导与下层波导中的光场泄露进入第一衬底层；片上热源用于向上层波导与下层波导施加热效应。本发明能够实现耦合光场在上下光波导层之间按需切换的效果，从而提高3D集成光芯片整体的工作性，并且能够在实现耦合光场在上下光波导层之间按需切换效果的同时，能够达到提升光芯片耦合效率的目的。
本发明授权双层光芯片及光芯片与光纤耦合的耦合接口结构在权利要求书中公布了：1.一种双层光芯片，其特征在于，所述双层光芯片为层状结构，双层光芯包括依次由下至上设置的第一衬底层101、第二衬底层102、下层波导103、第一隔离层104、上层波导105、第二隔离层106以及片上热源； 所述第一衬底层101用于支撑整个光芯片的结构强度以及隔绝外部光信号； 第二衬底层102向下层波导103提供依托，同时避免上层波导105与下层波导103中的光场泄露进入第一衬底层101； 第一隔离层104用于将下层波导103与上层波导105隔开；第二隔离层106用于将上层波导105与片上热源隔开； 片上热源用于向上层波导105与下层波导103施加热效应； 片上热源包括热源层107、热电极1071以及电走线1072；热电极1071与电走线1072均安装在所述热源层107上； 所述热电极1071用于控制热源层107，通过施加电压的变化使得热源层107的温度发生变化； 所述上层波导105具有第一脊型波导结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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