美光科技公司C·G·维迪维尔特获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利感测放大器布局设计以及相关设备和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116312668B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211584029.X，技术领域涉及：G11C7/06；该发明授权感测放大器布局设计以及相关设备和方法是由C·G·维迪维尔特;E·J·舒尔茨设计研发完成，并于2022-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本感测放大器布局设计以及相关设备和方法在说明书摘要公布了：本申请案涉及感测放大器布局设计，以及相关设备和方法。一种设备包含感测放大器的交叉耦合的上拉晶体管对、所述感测放大器的交叉耦合的下拉晶体管对，以及将所述交叉耦合的上拉晶体管对电连接到所述交叉耦合的下拉晶体管对的导电线对。所述设备还包含与所述交叉耦合的上拉晶体管对或所述交叉耦合的下拉晶体管对中的一个共享连续活性材料的感测放大器控制晶体管。一种方法包含断言感测放大器控制晶体管的共享控制栅极端子与所述交叉耦合的下拉晶体管对共享连续活性材料；将预充电电压电势施加到所述导电线对；将存储器单元电连接到所述经预充电的位线对；和放大通过所述存储器单元递送到所述位线对的电荷。
本发明授权感测放大器布局设计以及相关设备和方法在权利要求书中公布了：1.一种感测放大器设备，其包括： 感测放大器的交叉耦合的上拉晶体管对； 所述感测放大器的交叉耦合的下拉晶体管对； 导电线对，其将所述交叉耦合的上拉晶体管对电连接到所述交叉耦合的下拉晶体管对；和 感测放大器控制晶体管，其与所述交叉耦合的上拉晶体管对或所述交叉耦合的下拉晶体管对中的一个共享连续活性材料，所述导电线对至少以与所述连续活性材料基本平行的方式延伸。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人美光科技公司，其通讯地址为：美国爱达荷州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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