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龙图腾网获悉合肥工业大学申请的专利集成前馈矫正的超低迟滞开关式压电陶瓷独立驱动方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115967301B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211591471.5，技术领域涉及：H02N2/06；该发明授权集成前馈矫正的超低迟滞开关式压电陶瓷独立驱动方法是由张连生;郝爽;张鹏程;黄强先;程荣俊;李红莉设计研发完成，并于2022-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成前馈矫正的超低迟滞开关式压电陶瓷独立驱动方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种集成前馈矫正的超低迟滞开关式压电陶瓷独立驱动方法，是在由单片机控制的开关式独立驱动的基础上，以最简单的二次多项式为迟滞模型来拟合独立驱动下的迟滞曲线，之后以迟滞逆模型也就是二次函数的反函数作为输入代替线性输入的电压，即可获得线形的输出响应曲线。本发明能在分时独立驱动的基础上大幅度减小迟滞至0.82％，从而能改善使用压电致动器作为驱动的装置的非线性，并能提高驱动精度。

本发明授权集成前馈矫正的超低迟滞开关式压电陶瓷独立驱动方法在权利要求书中公布了：1.一种集成前馈矫正的超低迟滞开关式压电陶瓷独立驱动方法，其特征在于，是应用于由单片机MCU、两个高压运放，开关组和压电致动器构成的控制系统中，所述压电致动器由N层压电陶瓷层组成，开关组由N个开关组成；所述压电陶瓷驱动方法包括； 步骤1：升压阶段的驱动： 步骤1.1、在对第i层压电陶瓷层进行上升驱动之前，所述单片机MCU先利用一个高压运放对第i-1层压电陶瓷层进行上升驱动，并控制第i层压电陶瓷层对应的开关闭合；i属于[2,N]； 步骤1.2：所述单片机MCU发出线性递增的驱动信号，并经过另一个高压运放对部分驱动信号进行升压处理，再断开第i-1层压电陶瓷层对应的开关后，将升压后的驱动信号发送给第i层压电陶瓷层； 步骤1.3：第i层压电陶瓷层根据升压后的驱动信号进行升压，并在升压结束前闭合第i+1层压电陶瓷层对应的开关； 步骤1.4：所述单片机MCU将参与第i-1层压电陶瓷驱动的高压运放的输出清零；并继续用另一高压驱动器对第i层压电陶瓷层进行升压驱动，从而完成第i层压电陶瓷层的上升驱动； 步骤1.5：将i+1赋值给i后，返回步骤1.1顺序执行，直到iN为止，从而完成N层压电陶瓷层的升压； 步骤2：将所述单片机MCU发出线性递增的驱动信号改为线性递减的驱动信号后，按照步骤1的过程，对N层压电陶瓷层完成降压阶段的驱动； 步骤3：绘制压电致动器的迟滞曲线； 步骤4：根据压电致动器的对称性，每一层压电陶瓷层的曲率均相同，选取利用前馈矫正算法对任一层的迟滞曲线进行拟合，得到输出位移与输入电压的关系式； 步骤5：在输出位移的范围内依次将一组线性增长的等差数列输入关系式中，并输出一组曲线增长的电压值； 步骤6：在输出位移的范围内依次将一组线性递减的等差数列输入关系式中，并输出一组曲线递减的电压值； 步骤7：所述单片机MCU根据曲线增长的电压值，得到曲线递增的驱动信号，从而按照步骤1的过程，对N层压电陶瓷层进行升压阶段的驱动，以降低压电致动器的升压迟滞； 步骤8：所述单片机MCU根据曲线递减的电压值，得到曲线递减的驱动信号，从而按照步骤1的过程，对N层压电陶瓷层进行降压阶段的驱动，以降低压电致动器的降压迟滞。

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