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龙图腾网获悉上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司申请的专利一种沟槽电容器的制造方法及沟槽电容器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115763423B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211656039.X，技术领域涉及：H01L23/522；该发明授权一种沟槽电容器的制造方法及沟槽电容器是由蔡巧明;林宏设计研发完成，并于2022-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种沟槽电容器的制造方法及沟槽电容器在说明书摘要公布了：本发明提供了一种沟槽电容器的制造方法及沟槽电容器，该方法包括：提供半导体衬底，形成位于半导体衬底中的金属互连层；形成位于半导体衬底上的阻挡层和第一介质层；刻蚀第一介质层，形成沟槽阵列，沟槽阵列包括位于第一区域的电容沟槽和位于第二区域的电连接沟槽；在电容沟槽和电连接沟槽中形成第一导电层、第二介质层和第二导电层，去除第二区域表面的第二介质层和第二导电层以及电连接沟槽底部的第二介质层和第二导电层；沉积形成金属线，以将电容沟槽的第二导电层通过金属线及电连接沟槽的第一导电层与第二区域的金属互连层连接，沟槽电容器的上电极、下电极通过金属互连层引出。该方法用以降低工艺集成难度，提升沟槽电容器结构设计自由度。

本发明授权一种沟槽电容器的制造方法及沟槽电容器在权利要求书中公布了：1.一种沟槽电容器的制造方法，其特征在于，包括： 提供半导体衬底，形成位于所述半导体衬底中的金属互连层； 沉积形成位于所述半导体衬底上的第一介质层； 刻蚀所述第一介质层，形成沟槽阵列，所述沟槽阵列包括位于第一区域的电容沟槽和位于第二区域的电连接沟槽，其中，所述电容沟槽和所述电连接沟槽的底部均暴露所述金属互连层； 在所述电容沟槽和所述电连接沟槽中形成第一导电层、第二介质层和第二导电层，所述第二介质层位于所述第一导电层和所述第二导电层之间，所述电容沟槽的第一导电层与所述第一区域的金属互连层连接，所述电连接沟槽的第一导电层与所述第二区域的金属互连层连接； 去除所述第二区域表面的第二介质层和第二导电层以及所述电连接沟槽底部的第二介质层和第二导电层； 沉积金属并图形化形成金属线，所述金属线覆盖所述第一区域表面的所述第二导电层和所述第二区域表面的所述第一导电层，以将所述电容沟槽的第二导电层通过所述金属线及所述电连接沟槽的第一导电层与所述第二区域的金属互连层连接。

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