中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所康黎星获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利一种单晶β-氧化镓纳米片的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116024545B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310063870.2，技术领域涉及：C23C16/06；该发明授权一种单晶β-氧化镓纳米片的制备方法是由康黎星;刘帅;张蓉;李清文设计研发完成，并于2023-01-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种单晶β-氧化镓纳米片的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种单晶β‑氧化镓纳米片的制备方法。所述制备方法包括：采用化学气相沉积的方法，以氧气作为氧化剂对金属镓进行直接氧化，在具有限域空间的衬底材料表面生长形成单晶β‑氧化镓纳米片。本发明通过引入空间限域的方法来实现对二维超薄单晶β‑氧化镓纳米片的合成，利用氧气做氧化剂，实现对金属镓直接氧化来制备氧化镓纳米片，无需催化剂、工艺简单、生产成本低，制备出大尺寸、高质量、厚度可控的单晶β‑氧化镓纳米片，可用于紫外光电探测器和大功率电子器件等方面的研究和应用。
本发明授权一种单晶β-氧化镓纳米片的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种单晶β-氧化镓纳米片的制备方法，其特征在于，包括： 将两个衬底相对叠加设置，在衬底上形成限域空间； 沿氧气的气流方向，将金属镓、具有限域空间的衬底材料依次放置于化学气相沉积设备的反应腔室内，金属镓与具有限域空间的衬底之间具有选定间距，所述选定间距为2~10cm； 使反应腔室内的温度升温至900~1050°C，通入氧气反应5~30min，在具有限域空间的衬底表面生长形成单晶β-氧化镓纳米片，所述单晶β-氧化镓纳米片的长度在100µm以上，宽度在10µm以上，所述单晶β-氧化镓纳米片为二维结构，其厚度为10~100nm。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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