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龙图腾网获悉江西理工大学申请的专利一种提高CrAlN涂层耐磨抗腐蚀性能的后处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116043159B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310062457.4，技术领域涉及：C23C14/02；该发明授权一种提高CrAlN涂层耐磨抗腐蚀性能的后处理方法是由周升国;彭金勇;陈颢;张彤彤;肖锦设计研发完成，并于2023-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提高CrAlN涂层耐磨抗腐蚀性能的后处理方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种耐磨抗腐蚀CrAlN涂层的循环热处理方法，包括以下步骤：步骤S1：对基体材料进行预处理；步骤S2：对基体材料表面进行刻蚀，去除氧化层及杂质；步骤S3，在基体材料上沉积金属Cr过渡层；步骤S4：在金属Cr过渡层上沉积CrAlN涂层；步骤S5：对沉积CrAlN涂层的基体材料进行循环热处理。本发明解决了现有普通CrAlN涂层无法在极端恶劣环境下使用的问题。

本发明授权一种提高CrAlN涂层耐磨抗腐蚀性能的后处理方法在权利要求书中公布了：1.一种提高CrAlN涂层耐磨抗腐蚀性能的后处理方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S1：对基体材料进行预处理； 步骤S2：对基体材料表面进行刻蚀，去除氧化层及杂质； 步骤S3，在基体材料上沉积金属Cr过渡层； 步骤S4：在金属Cr过渡层上沉积CrAlN涂层； 步骤S5：对沉积CrAlN涂层的基体材料进行循环热处理； 所述步骤S2具体为：将预处理后的基体材料置于多弧离子镀沉积设备的腔体内，并进行抽真空处理，随后在腔体内部通氩气并保持在90~110sccm，分别选用-850~-950V、-1050~-1150V和-1151V~-1250V的沉积偏压对基体材料表面进行刻蚀，去除氧化层及杂质； 所述步骤S3具体为：将已经去除氧化层及杂质的基体材料进行过渡层沉积，设置Cr靶电流为50~70A，基底偏压-15~-25V，氩气流量180~220sccm，沉积时间为8~12min，在基体材料上沉积上金属Cr过渡层； 所述步骤S4具体为：利用多弧离子镀沉积设备在已沉积金属Cr过渡层的基体材料表面沉积CrAlN涂层，设置CrAl靶电流为55~65A，氩气流量为180~220sccm，氮气流量为500~700sccm，基底偏压调至-20~-30V，沉积时间为110~130min，实现沉积单层CrAlN涂层，交替镀制单层Cr涂层和单层CrAlN涂层，实现多层CrCrAlN涂层的制备； 所述步骤S5具体为：在大气压状态下，CrAlN涂层先从常温状态逐步升温至60℃，之后再降温至低温-20℃，整个过程中温度误差控制在±2℃，当热循环次数达到5~7次后，停止温度变化，在恒温状态下保温10~14h；所述升温速率为2℃min，降温速率为1℃min；所有涂层的试验环境湿度始终保持在80%，湿度偏差≤±2％R.H。

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