清华大学罗伟嘉获国家专利权
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龙图腾网获悉清华大学申请的专利高性能可集成全陶瓷基超材料完美吸收器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115939777B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310053732.6，技术领域涉及：H01Q15/00；该发明授权高性能可集成全陶瓷基超材料完美吸收器是由罗伟嘉;周济;文永正设计研发完成，并于2023-02-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本高性能可集成全陶瓷基超材料完美吸收器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高性能可集成全陶瓷基超材料完美吸收器。该陶瓷基超材料吸收器结构简单紧凑，与不同介质陶瓷体系兼容度高，以获得不同频率的完美吸收特性；无需衬底，可与多种微波毫米波器件与系统集成匹配，打破了传统构筑完美吸收器件的理论框架。所述吸收器包括陶瓷谐振单元阵列，所述陶瓷谐振单元阵列包括若干个呈矩阵分布的陶瓷谐振单元。所述陶瓷谐振单元由一块具有正交立方体结构的温度稳定型介质陶瓷构成，根据等效电路模型，其等效电阻R的表达式为：式中，Q为完美吸收频点处陶瓷的损耗角正切值的倒数；L为陶瓷谐振单元长边的长度；S为陶瓷谐振单元的横截面积，S＝h×r；ω为完美吸收频点；ε0为真空介电常数；εr为陶瓷的相对介电常数。
本发明授权高性能可集成全陶瓷基超材料完美吸收器在权利要求书中公布了：1.一种高性能可集成全陶瓷基超材料完美吸收器，包括陶瓷谐振单元阵列，所述陶瓷谐振单元阵列包括陶瓷谐振单元；若干个陶瓷谐振单元呈矩阵分布； 所述陶瓷谐振单元由一块具有正交长方体结构的温度稳定型介质陶瓷构成，无需衬底，所述陶瓷谐振单元的长边的长度L＝3.6mm；高h＝1.125mm，短边的长度r＝1.57mm，调控耦合间距d为0.1-0.2mm，所述调控耦合间距为谐振单元短边与高所在截面与相邻陶瓷谐振单元所述截面之间的间距。
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