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龙图腾网获悉江苏庆延微电子有限公司申请的专利高鲁棒性防静电浪涌衬底型ESD/TVS管结构及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116110903B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310110445.4，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权高鲁棒性防静电浪涌衬底型ESD/TVS管结构及方法是由杨帆;姜一波;吴瑕设计研发完成，并于2023-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本高鲁棒性防静电浪涌衬底型ESD/TVS管结构及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高鲁棒性防静电浪涌衬底型ESDTVS管结构及方法。该ESDTVS管结构在表面金属及接触之下设置与半导体单晶衬底相接触且电学连接的发射极结优化填充槽，发射极结优化填充槽的下部设置有位于半导体单晶衬底之中且与发射极结优化填充槽相接触的发射极结优化扩散，半导体单晶衬底表面延伸有集电极结优化填充槽，集电极结优化填充槽下部的半导体单晶衬底之中设置有集电极结优化扩散，半导体单晶衬底表面延伸有横向抑制填充槽，横向抑制填充槽下部的半导体单晶衬底之中设置有横向抑制扩散。利用本发明能够在无外延衬底的半导体基底上制备出能够满足高端需求的回穿型TVSESD产品。

本发明授权高鲁棒性防静电浪涌衬底型ESD/TVS管结构及方法在权利要求书中公布了：1.高鲁棒性防静电浪涌衬底型ESDTVS管结构，包括第一类型半导体的半导体单晶衬底，所述半导体单晶衬底中形成有第二类型半导体的深扩散阱，在所述深扩散阱中形成有第一类型半导体的发射区注入或者扩散，所述ESDTVS管结构的表面形成有表面金属及接触，背面形成有底部金属及接触，其特征在于，所述表面金属及接触之下设置有与半导体单晶衬底相接触且电学连接的发射极结优化填充槽，所述发射区注入或者扩散的扩散范围在结构上包纳发射极结优化填充槽，所述发射极结优化填充槽的下部设置有位于半导体单晶衬底之中且与发射极结优化填充槽相接触的发射极结优化扩散，所述发射极结优化扩散的深度等于或者大于发射区注入或者扩散的深度，半导体单晶衬底表面延伸有集电极结优化填充槽，所述集电极结优化填充槽下部的半导体单晶衬底之中设置有集电极结优化扩散，集电极结优化扩散与集电极结优化填充槽相接触，所述集电极结优化扩散分布于深扩散阱的周侧，集电极结优化填充槽在结构上与表面接触但是不与表面电学连接，半导体单晶衬底表面延伸有横向抑制填充槽，横向抑制填充槽在结构上与表面接触但是不与表面电学连接，所述横向抑制填充槽下部的半导体单晶衬底之中设置有横向抑制扩散，横向抑制扩散与横向抑制填充槽相接触，所述横向抑制扩散与深扩散阱、集电极结优化扩散不相接触且间隔预定距离；所述半导体单晶衬底的掺杂浓度为5e18cm-3至1e20cm-3；所述深扩散阱的掺杂浓度为5e16cm-3至5e17cm-3；所述发射区注入或者扩散的掺杂浓度为5e16cm-3至1e20cm-3；所述发射极结优化扩散的掺杂浓度为1e18cm-3至1e19cm-3；所述集电极结优化扩散的掺杂浓度为5e16cm-3至1e18cm-3；所述横向抑制扩散的掺杂浓度为5e16cm-3至5e19cm-3。

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