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龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利一种失效定位方法及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116190258B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310176980.X，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权一种失效定位方法及电子设备是由赵新伟;邹雅;施鑫杰;段淑卿;高金德设计研发完成，并于2023-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种失效定位方法及电子设备在说明书摘要公布了：本发明提供了一种失效定位方法及电子设备。具体的，其通过利用当多晶硅栅极端接地后，不管探针施加的电压为正还是为负，与该多晶硅栅极端短接的有源区中的第一导电插塞可以始终保持导通状态，也就是说始终可以在形成的PicoCurrent图像上只能看到与多晶硅栅极短路的第一导电插塞的电信号的原理，将测量样品中的包含定位出的热点的多晶硅线路以及其周围的多条临近多晶硅线路所组成的区域进行FIB线路修改，即，使形成的该区域接地，然后再结合原子力显微镜形成该测量样品的皮安级电流图，便可根据该皮安级电流图中的亮光点，快速准确的定位出测量样品中的测试结构中所存在的有源区中的多晶硅栅极与位于其两侧的导电插塞因为短路，而导致漏电的缺陷位置。

本发明授权一种失效定位方法及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种失效定位方法，其特征在于，至少包括如下步骤： 提供一测试结构，所述测试结构包括有源区、栅极区以及多条间隔设置且贯穿所述有源区和栅极区的多晶硅线路，而位于所述有源区所对应的每条所述多晶硅线路两侧还设置有多个第一导电插塞； 对所述测试结构进行电性失效分析，以确定所述测试结构中的漏电失效路径； 对确定出的所述漏电失效路径进行热点抓取，以定位所述热点，并对包含位于所述栅极区中的包含定位出的所述热点的多晶硅线路以及其周围的多条临近多晶硅线路的测试结构的测量样品进行FIB线路修补，以使所述包含定位出的所述热点的多晶硅线路与其两侧的位于所述有源区中的第一导电插塞处于导通状态； 采用原子力显微镜，获取包含所述热点的多晶硅线路的所述测量样品的皮安级电流图，并根据所述皮安级电流图定位出所述测量样品所对应的所述测试结构中所包含的漏电失效位置； 其中，所述采用原子力显微镜，获取包含所述热点的多晶硅线路的所述测量样品的皮安级电流图的步骤，包括： 对所述有源区中的第一导电插塞施加一反向电压，以使所述测量样品中所包含的测试结构中的非漏电失效路径所对应的多晶硅线路与所述有源区所组成的PN结反向偏置； 利用原子力显微镜，形成所述皮安级电流图，其中所述皮安级电流图中的标亮区域与所述漏电失效位置所连接的第一导电插塞的电信号一一对应。

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