合肥微睿光电科技有限公司刘超获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥微睿光电科技有限公司申请的专利一种耐热性基座氧化膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116804284B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310196317.6，技术领域涉及：C25D11/06；该发明授权一种耐热性基座氧化膜及其制备方法是由刘超;刘晓刚;李仁杰;李小岗;张雅;王翔设计研发完成，并于2023-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种耐热性基座氧化膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于覆层的电解生产工艺技术领域，涉及一种耐热性基座氧化膜及其制备方法。针对现有技术中PECVD设备基座上的氧化膜，在生成或再生过程中，氧化膜孔径和氧化膜微孔密度过大或过小，不均一，导致的氧化膜耐热性差，易从基座上脱落，影响使用寿命的技术问题，本申请提供一种耐热性基座氧化膜的制备方法，改善了氧化膜结构，提升氧化膜的柔韧性，使之在持续的升温降温过程中减少与母材之间的张应力，制备得到的氧化膜，在高温冲击下不易开裂，耐热性能提升明显，耐热冲击性能明显增强，满足使用性能。
本发明授权一种耐热性基座氧化膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种耐热性基座氧化膜的制备方法，使用基材，包括阳极氧化步骤，所述阳极氧化步骤为将基座置于阳极氧化电解液中，进行直流电阳极氧化，其特征在于： 所述电解液由以下组分及含量组成：5wt%的草酸和1wt%的冰乙酸；工艺温度为30℃；电流密度为0.8Adm²；所述基材的型号为5052或6061； 所述氧化膜可在450℃下抵抗热冲击7次，所述基座为PECVD设备基座； 所述氧化膜的厚度为10~20μm。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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