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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利等离激元光镊基底以及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116203661B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310212659.2，技术领域涉及：G02B5/00；该发明授权等离激元光镊基底以及制备方法是由黄若杨;毛海央;周娜设计研发完成，并于2023-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本等离激元光镊基底以及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种光镊基底，尤其是一种等离激元光镊基底以及制备方法。按照本发明提供的技术方案，所述等离激元光镊基底，包括等离激元单元以及用于对所述等离激元单元局部区域温控的温度控制单元，其中，等离激元单元与温度控制单元基于MEMS工艺制备集成，对等离激元单元内的光斑照射区域，配置温度控制单元对所述光斑照射区域进行温控，以在等离激元单元述光斑照射区域与所述光斑照射区域的周围环境产生温度梯度。本发明基于珀耳帖效应的温度控制，大幅度提升光镊的捕获效率并能有效控制热泳运动，同时能适用于微米级以上物质的捕获，与现有MEMS工艺兼容。

本发明授权等离激元光镊基底以及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种等离激元光镊基底，其特征是，包括等离激元单元以及用于对所述等离激元单元局部区域温控的温度控制单元，其中， 等离激元单元与温度控制单元基于MEMS工艺制备集成，对等离激元单元内的光斑照射区域，配置温度控制单元对所述光斑照射区域进行温控，以在等离激元单元述光斑照射区域与所述光斑照射区域的周围环境产生温度梯度； 温度控制单元基于珀耳帖效应的温控方式对等离激元单元进行局部区域温控； 温度控制单元包括一个或多个温度控制基体，其中，温度控制单元内包括多个温度控制基体时，多个温度控制基体呈阵列分布； 利用一温度控制基体对等离激元单元内与所述温度控制基体正对应的区域温控； 温度控制基体，包括温控绝缘支撑层、制备于所述温控绝缘支撑层上的第一珀耳帖效应温控单元以及用于支撑等离激元单元的第一珀耳帖效应单元保护导热层，其中， 第一珀耳帖效应温控单元位于第一珀耳帖效应单元保护导热层内； 第一珀耳贴效应温控单元包括若干交替排布的第一掺杂多晶硅体以及第二掺杂多晶硅体，第一掺杂多晶硅体与第二掺杂多晶硅体利用金属连接导体串联成一体； 第一掺杂多晶硅体的塞贝克系数与第二掺杂多晶硅体的塞贝克系数相同或不同。

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