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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利砷化硼共振隧穿二极管及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314350B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310226845.1，技术领域涉及：H10D8/70；该发明授权砷化硼共振隧穿二极管及其制作方法是由薛军帅;吴冠霖;李泽辉;袁金渊;孙文博;张进成;郝跃设计研发完成，并于2023-03-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本砷化硼共振隧穿二极管及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种砷化硼共振隧穿二极管，主要解决现有氮化镓共振隧穿二极管能带结构不对称、无双向对称微分负阻特性、峰值电流及峰谷电流比低的问题。该器件包括衬底、外延层、发射极欧姆接触层、第一隔离层、第一势垒层、量子阱层、第二势垒层、第二隔离层、集电极欧姆接触层和集电极；发射极欧姆接触层上设置环形发射极。其中，第一和第二势垒层采用厚度相同的砷化硼材料，发射极与集电极欧姆接触区采用组分与厚度均相同的n型硼镓铟砷材料，第一和第二隔离层及量子阱层采用组分相同的硼镓铟砷材料，衬底采用高热导率砷化硼单晶。本发明器件无自发极化效应并有双向对称微分负阻效应，峰值电流与峰谷电流比高，可用于太赫兹波源和数字逻辑电路。

本发明授权砷化硼共振隧穿二极管及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种砷化硼共振隧穿二极管，自下而上包括衬底1、外延层2、发射极欧姆接触层3、第一隔离层4、第一势垒层5、量子阱层6、第二势垒层7、第二隔离层8、集电极欧姆接触层9和集电极电极10，该第一隔离层4的两侧设置有环形发射极电极11，该外延层2至集电极电极10的外部包裹有钝化层12，其特征在于： 所述衬底1采用高热导率的砷化硼单晶材料，以提高器件散热性能； 所述外延层2采用BAs材料； 所述第一势垒层5和第二势垒层7采用厚度相同的BAs材料； 所述量子阱层6采用BxGayInzAs材料，其中0x1、0≤y1、0≤z1，且满足x+y+z＝1； 所述第一隔离层4和第二隔离层8采用组分一致、厚度相同的BxGayInzAs，其中0x1、0≤y1、0≤z1，且满足x+y+z＝1； 所述发射极欧姆接触层3和集电极欧姆接触层9采用组分一致、厚度相同、掺杂浓度均为1×1019cm-3-5×1020cm-3之间的n型BxGayInzAs，其中0x1、0≤y1、0≤z1，且满足x+y+z＝1。

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