华南理工大学沈葵获国家专利权
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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种铈-超细磷化钴-氮共掺杂的碳基纳米片阵列催化剂及其制备方法与应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116445961B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310237024.8,技术领域涉及:C25B11/091;该发明授权一种铈-超细磷化钴-氮共掺杂的碳基纳米片阵列催化剂及其制备方法与应用是由沈葵;谢尚芳;李映伟设计研发完成,并于2023-03-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种铈-超细磷化钴-氮共掺杂的碳基纳米片阵列催化剂及其制备方法与应用在说明书摘要公布了:本发明公开了一种铈‑超细磷化钴‑氮共掺杂的碳基纳米片阵列催化剂及其制备方法与应用。本发明通过将导电基底浸泡在2‑甲基咪唑和钴盐、铈盐的水溶液中,静置后取出并洗涤干燥,在惰性气氛保护下进行热解后,磷处理化,得到铈‑超细磷化钴‑氮共掺杂的碳基纳米片阵列催化剂。本发明的制备方法操作简便,制备过程绿色环保,所制备产品纯度高,结构可控,机械强度强,可直接作为电极材料使用,所制备的催化剂表现出优异的电氧化5‑羟甲基糠醛催化性能及良好的稳定性。
本发明授权一种铈-超细磷化钴-氮共掺杂的碳基纳米片阵列催化剂及其制备方法与应用在权利要求书中公布了:1.一种铈-超细磷化钴-氮共掺杂的碳基纳米片阵列催化剂的制备方法,其特征在于,包括以下步骤: 将导电基底浸泡在2-甲基咪唑和钴盐、铈盐的水溶液中,静置后取出并洗涤干燥,得到生长在导电基底上的CeCo-ZIF-L纳米片阵列; 所述生长在导电基底上的CeCo-ZIF-L纳米片阵列在惰性气氛保护下进行热解后,磷化处理,得到铈-超细磷化钴-氮共掺杂的碳基纳米片阵列催化剂; 其中,铈盐相对于钴盐和铈盐的总量的物质的量比例为2.5~25%。
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